哈默納科電機(jī)CSG-32-160-GH-F0KAB

光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,，不能中“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置,。

軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強(qiáng)光刻膠的粘附性,、釋放旋轉(zhuǎn)涂膠產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力,、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上,。軟烘在真空熱板上進(jìn)行

真空吸盤可繞Z軸旋轉(zhuǎn),，噴嘴可沿X、Y、Z移動,，圍繞Z旋轉(zhuǎn),。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠，這樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上,。光刻膠涂覆后,，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,，不能得而且容易發(fā)生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形,。所以需要去除。“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置,。

哈默納科電機(jī)CSG-32-160-GH-F0KAB光刻膠最基本的組成是有機(jī)溶劑中的一種聚合物溶液,。光刻膠的物理特性包括分辨率、對比度,、對敏感度,、對粘滯性、粘附性,、抗蝕性,、表面張力、存儲與傳送特性,、玷污和顆?？刂频取９饪棠z主要有兩個作用：將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上,，在后續(xù)工藝中保護(hù)下面的材料,。光刻膠適合于旋轉(zhuǎn)涂膠的，硅片會持續(xù)旋轉(zhuǎn)涂膠直到硅片表面形了成一層薄膜,。光刻膠涂覆方法的四個基本步驟分別為滴膠,、旋轉(zhuǎn)鋪開、旋轉(zhuǎn)甩掉多余膠,、溶劑揮發(fā),。

       硅片上光刻膠涂膠的厚度和均勻性是非常關(guān)鍵的質(zhì)量參數(shù)。光刻膠涂覆過程中主要技術(shù)參數(shù)為：滴膠量,，約1~3CC；成膜厚度約1微米左右,，厚度變化20-50?,。硅片吸附在真空吸盤上，