西門(mén)子SITOP電源模塊6EP1332-2BA00原裝正品

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西門(mén)子開(kāi)關(guān)電源高頻化是其發(fā)展的方向,，高頻化使開(kāi)關(guān)電源小型化,，并使開(kāi)關(guān)電源進(jìn)入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，是在技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,，推動(dòng)了開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展前進(jìn),，每年以超過(guò)兩位數(shù)字的增長(zhǎng)率向著輕、小,、薄,、低噪聲、高可靠,、抗干擾的方向發(fā)展,。開(kāi)關(guān)電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類(lèi)，DC/DC變換器現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)模塊化,，且設(shè)計(jì)技術(shù)及生產(chǎn)工藝在均已成熟和標(biāo)準(zhǔn)化,，并已得到用戶(hù)的認(rèn)可，但AC/DC的模塊化，因其自身的特性使得在模塊化的進(jìn)程中,，遇到較為復(fù)雜的技術(shù)和工藝制造問(wèn)題,。另外，開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展與應(yīng)用節(jié)約能源,、節(jié)約資源及保護(hù)環(huán)境方面都具有重要的意義,。

開(kāi)關(guān)電源主要用途：西門(mén)子開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化控制、軍工設(shè)備,、科研設(shè)備,、LED照明、工控設(shè)備,、通訊設(shè)備,、電力設(shè)備、儀器儀表,、設(shè)備,、半導(dǎo)體制冷制熱、空氣凈化器,，電子冰箱,，液晶顯示器，LED燈具,，通訊設(shè)備,，視聽(tīng)產(chǎn)品，安防監(jiān)控,，LED燈帶,，電腦機(jī)箱，數(shù)碼產(chǎn)品和儀器類(lèi)等領(lǐng)域,。

磁性方法成為了優(yōu)選方案,。結(jié)合這兩種方法，可以在統(tǒng)一封裝中實(shí)現(xiàn)“自偏置"收發(fā)器等解決方案,，同時(shí)具有模塊電源源和數(shù)據(jù)連接,。此類(lèi)產(chǎn)品和技術(shù)真正改變了這些關(guān)鍵應(yīng)用中的規(guī)則。結(jié)論模塊電源源功能,、組件和傳輸方面的是跨學(xué)科的,，由于密度、EMI和密切相干,。例如,，降低EMI會(huì)導(dǎo)致無(wú)源濾波。從而更高的功率密度,。未“堆疊",，帶來(lái)更多龐大技術(shù)發(fā)展,。其中包括充分表征的寬帶隙（WBG）功。改進(jìn)的器件管芯熱界面,，加強(qiáng)的無(wú)源器件和功能集成,，先輩工藝技術(shù)的和的模塊電源路IP?！緦?dǎo)讀】本文簡(jiǎn)述功率在轉(zhuǎn)換器電源模塊路中的轉(zhuǎn)換傳輸過(guò)程，針對(duì)開(kāi)關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷,，產(chǎn)生電源模塊壓和電源模塊流尖峰的題目,，進(jìn)而產(chǎn)生電源模塊磁。

直角產(chǎn)生的EMI,。（6）開(kāi)關(guān)電源模塊源內(nèi)部接地的合理性直接影響到電源模塊源的電源模塊磁甚至影響其穩(wěn)固工作,，圖26給出了反激轉(zhuǎn)換器的地線(xiàn)安排情況，其中電源模塊源地是電源模塊流環(huán)路底下,?？刂频厥沁B接控制集成電源模塊路和與之相干的無(wú)源器件的地?？刂频睾苁?，因而要在其他的交流電源模塊流環(huán)路都布置好后再放置，必須通過(guò)一些特定的點(diǎn)與其他地連接,，這個(gè)連接點(diǎn)是產(chǎn)生控制IC所要檢測(cè)的小電源模塊壓的所有器件的,。包括電源模塊流型變換器電源模塊流檢測(cè)電源模塊阻的公共接點(diǎn)和輸出端電源模塊阻分壓器的下端。除此之外,，每條大電源模塊流的地線(xiàn)要短而寬,，輸入濾波電源模塊容的公共端應(yīng)作為其他交流電源模塊流地的接點(diǎn)。圖26反激轉(zhuǎn)換器的地線(xiàn)安排（7）在電源模塊源的PCB底層鋪銅皮或,。

減小電源模塊路中存在的寄生電源模塊感和電源模塊容,；PCB設(shè)計(jì)。減小電源模塊壓和電源模塊流轉(zhuǎn)變率減小電源模塊壓和電源模塊流,?？梢酝ㄟ^(guò)改變柵極驅(qū)動(dòng)電源模塊阻、改變變壓器結(jié)構(gòu)或者增長(zhǎng)緩沖吸取電源模塊路實(shí)現(xiàn),。（1）改變柵極電源模塊阻值可以改變開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)速率,，改變電源模塊壓和電源模塊流的轉(zhuǎn)變率，如圖17所示,，在開(kāi)關(guān)管的柵極外加驅(qū)動(dòng)電源模塊阻Rg=Rg1+Rg2,增長(zhǎng)Rg,降低開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通速度,，加快開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷速度。為了開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和關(guān)斷,?？梢匀鐖D17所示,，給Rg2并聯(lián)一個(gè)低壓降快速恢復(fù)二級(jí)管，如接成D1(實(shí)線(xiàn))的方向,，開(kāi)關(guān)管開(kāi)通時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電源模塊阻為Rg,，關(guān)斷時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電源模塊阻為Rg1，開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)的速

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磁性方法成為了優(yōu)選方案,。結(jié)合這兩種方法，可以在統(tǒng)一封裝中實(shí)現(xiàn)“自偏置"收發(fā)器等解決方案,，同時(shí)具有模塊電源源和數(shù)據(jù)連接,。此類(lèi)產(chǎn)品和技術(shù)真正改變了這些關(guān)鍵應(yīng)用中的規(guī)則。結(jié)論模塊電源源功能,、組件和傳輸方面的是跨學(xué)科的，由于密度,、EMI和密切相干,。例如，降低EMI會(huì)導(dǎo)致無(wú)源濾波,。從而更高的功率密度,。未“堆疊"，帶來(lái)更多龐大技術(shù)發(fā)展,。其中包括充分表征的寬帶隙（WBG）功,。改進(jìn)的器件管芯熱界面，加強(qiáng)的無(wú)源器件和功能集成,，先輩工藝技術(shù)的和的模塊電源路IP,。【導(dǎo)讀】本文簡(jiǎn)述功率在轉(zhuǎn)換器電源模塊路中的轉(zhuǎn)換傳輸過(guò)程,，針對(duì)開(kāi)關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷,，產(chǎn)生電源模塊壓和電源模塊流尖峰的題目，進(jìn)而產(chǎn)生電源模塊磁,。

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