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當(dāng)前位置：北京中科微納精密儀器有限公司>>技術(shù)文章>>高低溫試驗測試流程
1、在樣品斷電的狀態(tài)下,，先將溫度下降到-50°C,，保持4個小時;請勿在樣品通電的狀態(tài)下進行低溫測試，非常重要,，因為通電狀態(tài)下,，芯片本身就會產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以,，在通電狀態(tài)下,，通常比較容易通過低溫測試，必須先將其“凍透",，再次通電進行測
2,、開機，對樣品進行性能測試,，對比性能與常溫相比是否正常,。
3、進行老化測試,，觀察是否有數(shù)據(jù)對比錯誤,。
4、升溫到+90°C,，保持4個小時,，與低溫測試相反，升溫過程不斷電,，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài),，4個小時后，執(zhí)行2,、3,、4測試步驟。
5,、高溫和低溫測試分別重復(fù)10次,。
如果測試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測試失敗,。
高溫環(huán)境對設(shè)備的主要影響有：
1. 填充物和密封條溶化或融化,；
2. 潤滑劑粘度降低，揮發(fā)加速,，潤滑作用減?。?/span>
3. 電子電路穩(wěn)定性下降,，絕緣損壞,；
4. 加速高分子材料和絕緣材料老化，包括氧化,、開裂,、化學(xué)反應(yīng)等；
5. 材料膨脹造成機械應(yīng)力加大或磨損加大,。
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