PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統(tǒng)

澤攸透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統(tǒng),，在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境,，實(shí)現(xiàn)1 Bar & 800 ℃的端觀測條件,。

澤攸透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統(tǒng),，在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境，實(shí)現(xiàn)1 Bar & 800 ℃的端觀測條件,。該系統(tǒng)使研究者可以在原子尺度上實(shí)時(shí)觀測催化反應(yīng),、氧化還原反應(yīng)、低維材料生長/合成以及各類腐蝕反應(yīng),，將您的透射電鏡從一臺靜態(tài)成像工具升級為一套功能強(qiáng)大的納米實(shí)驗(yàn)室,。
       系統(tǒng)組成：

① 原位氣氛環(huán)境樣品桿：由樣品桿主體、氣流通道,、四電極加熱模塊和MEMS反應(yīng)微腔組成,。樣品被安置于上下兩片MEMS芯片以及配套的O圈組成的密封微腔內(nèi)。
② 真空檢漏系統(tǒng)：由進(jìn)口分子泵組,、高真空腔體和高倍顯微鏡組成,。用于實(shí)驗(yàn)前驗(yàn)證MEMS反應(yīng)微腔密封情況，確保在TEM中抽真空后不會有氣體泄漏,。
③ MEMS反應(yīng)微腔：由上下兩片MEMS芯片組成,，用于搭載實(shí)驗(yàn)樣品。樣品觀測區(qū)域覆蓋有高質(zhì)量,、高透過率的氮化硅薄膜窗口,，窗口上覆蓋有四電極加熱區(qū)域，樣品搭載在加熱電極上,。該MEMS反應(yīng)微腔與外接氣路通道以及加熱模塊高度耦合,，從而在TEM中實(shí)現(xiàn)氣氛環(huán)境與高溫環(huán)境準(zhǔn)確可控的原位觀測,。
④ 氣氛環(huán)境控制箱：由三通道混氣模塊、渦輪真空泵,、氣壓控制模塊、氣流控制模塊及配套附件組成,。用于在實(shí)驗(yàn)中準(zhǔn)確,、穩(wěn)定地控制MEMS反應(yīng)微腔中的氣氛環(huán)境，控制微反應(yīng)腔中的氣壓及氣體流速,。
⑤ 高性能PC及配套控制軟件：該系統(tǒng)中的加熱及氣氛環(huán)境均為軟件控制,，多種工作模式可選，功能強(qiáng)大,，方便易用,。
⑥ 溫控儀：用于控制MEMS反應(yīng)微腔中的溫度，四個(gè)電極通道,，帶溫度反饋,。
⑦ 樣品桿載具、裝樣附件及其他工具,。

性能指標(biāo)

透射電鏡指標(biāo)：

● 兼容指*型號電鏡及極靴,；

● 通氣后透射電子顯微鏡分辨率優(yōu)于0.1 nm。

加熱指標(biāo)：

● 溫度范圍：室溫至800 ℃,；

● 溫度準(zhǔn)確度：優(yōu)于5% ,；

● 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃；

● 四電極加熱,，帶溫度反饋,；

● 軟件控制。

氣體流動(dòng)指標(biāo)：

● 三通道混氣

● 氣壓范圍：0 - 1 Bar,；

● 氣壓準(zhǔn)確度：30 mBar,；

● 氣體流速： 0.01 - 0.4 ml/min；

● 可通氣體：H2, N2, O2, He, Ar, CO, CO2, CxHy等,；

● 軟件控制,。

MEMS反應(yīng)微腔指標(biāo)：

● 高質(zhì)量氮化硅膜厚度25 nm；

● 樣品漂移優(yōu)于0.7 nm/min,。