1.MS450是一臺高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備,。
2.設(shè)備主要由真空室,、濺射靶槍,、濺射電源、加熱樣品臺,、流量控制系統(tǒng),、真空獲得系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng),、氣路系統(tǒng),、PLC+觸摸屏自動控制系統(tǒng)等組成。
3.該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計,，操控方便,；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小,。
小型鍍膜設(shè)備是為掃描電鏡和電子探針等進(jìn)行試樣制備的設(shè)備,，可進(jìn)行真空蒸碳、真空鍍膜和離子濺射,，它也可以在高純氬氣的保護(hù)之下進(jìn)行多種離子處理,。用本設(shè)備處理的試樣既可用于樣品的外貌觀察又可以進(jìn)行成分分析，尤其是成分的定量分析更為適宜,。本儀器配有機(jī)械泵,、分子泵，分子泵系統(tǒng)特別適用于對真空度要求高,、真空環(huán)境好的用戶選用,。
1.MS450是一臺高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備。
2.設(shè)備主要由真空室,、濺射靶槍,、濺射電源、加熱樣品臺,、流量控制系統(tǒng),、真空獲得系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng),、氣路系統(tǒng),、PLC+觸摸屏自動控制系統(tǒng)等組成。
3.該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計,，操控方便,；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小,。
4.主要用途：
1. 開發(fā)納米級單層,、多層及復(fù)合膜層等。
2. 制備金屬膜、合金膜,、半導(dǎo)體膜,、陶瓷膜及介質(zhì)膜等，例：銀,、鋁,、 銅、鎳,、鉻,、鎳鉻合金、氧化鈦,、氮化鈦,、氮化鉻、ITO......
3. 兩靶單獨(dú)濺射,、依次濺射,、共同濺射。
5.應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 高校,、科研院所的教學(xué),、科研實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開發(fā)新產(chǎn)品等。
2. 鈣鈦礦太陽能電池,、OLED,、OPV 太陽能電池等行業(yè)。
薄膜均勻性概念：
1,、厚度上的均勻性,，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位,，約為100A)，真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好,，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi),，也就是說對于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙,。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度,，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整。
2,、化學(xué)組分上的均勻性： 就是說在薄膜中,，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜,，如果鍍膜過程不科學(xué),，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分,，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在,。
3、晶格有序度的均勻性： 這決定了薄膜是單晶,，多晶,，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題,。
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