FANUC數(shù)控系統(tǒng)維修：

附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門(mén)極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,。只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,。

從P基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。在使用模塊時(shí),，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸,；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作,。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓,，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合。

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也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此,，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,。此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí),，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò),，柵極電位升高,，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合,，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)（柵極處于開(kāi)路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓,，則IGBT就會(huì)損壞,，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻,。在安裝或更換IGBT模塊時(shí),，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。

為了減少接觸熱阻,，好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障,。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作,。IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇,，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),。由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇,，選用時(shí)應(yīng)該降等使用,。一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所。