適用于890-1100 nm之間的光纖激光器

摻釹光纖：我們提供具有一些獨(dú)到特性的全系列釹纖維。

六藍(lán)光子學(xué)釹鋁硅酸鹽雙包層光纖已經(jīng)被開發(fā)出來,，通過精確控制主體成分來大化光纖效率,。與標(biāo)準(zhǔn)釹光纖相比，通過仔細(xì)的光纖設(shè)計(jì)優(yōu)化,，減少了1.06微米的發(fā)射,。

我們的雙包層光纖定期測試各種參數(shù)，如光暗化和環(huán)境行為,。還提出了一種單包層光纖,，它將是構(gòu)建10xx nm范圍內(nèi)的種子光源的理想選擇。

關(guān)鍵特征

l主機(jī)組成經(jīng)過優(yōu)化,，可實(shí)現(xiàn)高能效和低群集

l低熔接損耗

l高數(shù)值孔徑,、高性能低折射率包層

l低本底損失

l工作波長下的低宏彎損耗

應(yīng)用覆蓋

l0.9至1.064μm光纖激光器

l10xx nm處的播種源

摻釹光纖技術(shù)數(shù)據(jù)

典型折射率分布

LP01截止

單包層光纖主要規(guī)格

雙包層光纖主要規(guī)格

常用規(guī)格:

毫米背景（dB/km）：<50

包層NA：≥0.46

纖芯-包層偏移（μm）：<1.0

驗(yàn)證試驗(yàn)等級（KPSI）：100

LP01截止波長（μm）：1

工作波長（nm）：900-950

光纖匹配合束器主要規(guī)格