西門子CPU模塊6ES7515-2AM01-0AB0

 RTD和熱電偶模塊安裝在一個的溫度內時，具有的性能,。
例如,，EM 231熱電偶模塊有專門的冷端補償電路,。該電路在模塊連接器處測量溫度，并對測量值
作出必要的修正,，以補償基準溫度和模塊處溫度之間的溫度差,。如果EM 231熱電偶模塊安裝
的溫度變化很，則會引起附加的誤差,。
為了達到的精度和重復性,，西門子公司建議，S7-200 RTD和熱電偶模塊要安裝在溫度穩(wěn)
定的地方,。
噪聲
如果熱電偶的輸人未使用,，短接未使用的通道，或將它們并行連接到其它通道上,。
EM 231熱電偶模塊
EM 231熱電偶模塊提供了一個便于使用的接口,，用于將S7-200系列升級到7種熱電偶類型：
J、K,、E,、N、S,、T和R,。該接口允許S7-200連接至低電平模擬量，±80mV范圍,。所有連接到該
模塊的熱電偶都必須是同一類型的,。
熱電偶的基本知識
任何兩種金屬，其連接處都會形成熱電偶,。熱電偶產生的電壓與連接點溫度成正比,。該電壓很小,；一
微伏可以產生很多度數(shù),。測量來自熱電偶的電壓，進行冷端補償,，然后線性化結果,，這是使用熱電偶
進行溫度測量的基本步驟。
當您將一個熱電偶連接到EM 231熱電偶模塊時,，兩根不同的金屬導線連接到模塊的輸人接線端
子,。兩根不同金屬導線彼此連接處形成傳感器的熱電偶。
在兩根不同金屬導線連接到輸人接線端子的地方形成其它兩個熱電偶,。接線端子處的溫度產生一
個電壓,，加到從傳感器熱電偶來的電壓上。如果這個電壓不校正,，那末,，所測量的溫度會偏離傳感器
的溫度,。
冷端點補償用來補償接線端子處的熱電偶。熱電偶表基于基準連接點溫度,，通常是攝氏0度,。模塊冷
端補償將接線端子處的溫度補償?shù)綌z氏0度。冷端補償補償了由于接線端子熱電偶電壓所引起的電壓
,。模塊溫度是在內部測量的,。這個溫度轉換成一個值，它加到傳感器的轉換值上,。然后,，用熱電
偶表線性化被修正后的傳感器轉換值。
組態(tài)EM 231熱電偶模塊
組態(tài)DIP開關位于模塊的底部,，可以選擇熱電偶模塊的類型、斷線檢測,、溫度范圍和冷端補償,。要使
DIP開關設置起作用，需要給PLC和/或用戶的24V重新上電,。

 1. 為配方集域名,。如同預先定義
的那樣，每一個名字都將成為項目
中的一個符號名,。
2. 在下拉列表中選擇數(shù)據(jù)類型,。
3. 為每個名字輸人缺省值和注釋。在
該配方集中的所有新配方將使用這
些缺省值作為初始值,。
4. “下一步”,，編輯配方集中的
每條配方。
圖13-2
定義配方
在配方表中為每條配方定義所有的數(shù)據(jù)域,。您多可以有4個配方集,。而每個配方集中的配方個數(shù)，
只受存儲卡容量的,。
創(chuàng)建和編輯配方
創(chuàng)建和編輯配方界面允許您創(chuàng)建單條配方并為這些配方分配數(shù)值,。每一個可編輯的列都表示一個
的配方。
可以按“新建”按鈕來創(chuàng)建配方,。每個配方會將創(chuàng)建配方集時所的缺省值作為初始值,。
也可以用另外一種創(chuàng)建配方。單擊鼠標右鍵使用關聯(lián)菜單,，您可以和粘貼已有的配方,。新的
列將人在當前光標位置的左側。
根據(jù)配方集和配方號,，每條新的配方將被給予一個缺省的名字,。該缺省名的格式為：DEFx_RCPy,。
要創(chuàng)建并編輯配方，執(zhí)行以下步驟,。參見
圖13-3,。
1.“下一步”，進人創(chuàng)建和編輯
配方窗口,。
2.“新建”按鈕,，插人一條
配方。
3. 將配方的缺省名改為一個的
名字,。
4. 根據(jù)需求改變每個配方數(shù)據(jù)的值,。
5. 單擊“確定”。
圖13-3 創(chuàng)建和編輯配方
368
使用配方
第13章
分配存儲區(qū)
分配存儲區(qū)畫面用于V存儲區(qū)的起始地址,，從這一起始地址開始存儲從存儲卡中讀取的配方,。您
可以自己選擇V存儲區(qū)地址，也可以使用配方向導建議的地址,，配方向導會推薦您使用正確長度的尚
未使用的V存儲區(qū),。
要為配方分配存儲區(qū)，執(zhí)行以下步驟,。參
見圖13-4,。
1. 在窗輸人地址值作為您希望儲
存配方的V存儲區(qū)起始地址。
2. 您也可以通過“建議地址”按
鈕,，讓配方向導為您選擇一個正確
長度的尚未使用的V存儲區(qū),。
3. “下一步”
項目組件
項目組件畫面列出了將要被添加到您項目
中的不同組件。參見圖13-5,。
“完成”來完成配方向導并添加這些
組件,。
每個配方結構擁有的名字。這些名字
會顯示在項目樹中,。配方集名(RCPx)被附
加在名字尾部,。
圖13-5 項目組件
使用符號表
為每一個配方集創(chuàng)建一個符號表。每張表
定義一些常用數(shù)值來表示每條配方,?？梢?/span>
在 RCPx_READ 和 RCPx_WRITE 指令中使
用這些符號來表示想要的"配方。參見圖
13-6,。
每張表中也為配方中的每個域創(chuàng)建符號
名,。您可以使用這些符號來訪問V存儲區(qū)
中的配方值。
圖13-6 符號表
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S7-200可編程序控制器手冊
下載一個帶有配方的項目
要下載一個帶有配方的項目,，執(zhí)行以下步驟,。參見圖13-7。
1. 選擇文件> 下載。
2. 在對話框中,，確保程序塊,、數(shù)據(jù)塊
和配方均被選中。
3. “下載”按鈕,。
圖13-7 下載一個帶有配方的項目
編輯已有的配方
要編輯已有的配方,，執(zhí)行以下步驟。參見
圖13-8,。
1. 下拉列表選擇一個已有的
配方,。
2. 可以通過“組態(tài)”按鈕來
一個已有的配方。
圖13-8 編輯已有的配方
370
使用配方
第13章
由配方向導創(chuàng)建的指令
RCPx_Read子程序
子程序RCPx_READ是由配方向導創(chuàng)建的,，它用于將配方從存
儲卡中讀取到V存儲區(qū)中,。
RCPx_READ指令中的x是指包含您想讀取的配方的配方集
編號。
當EN輸人為高電平時,，允許指令執(zhí)行,。
Rep輸人端決定了從存儲卡中讀取哪條配方
Error輸出端返回該指令的執(zhí)行結果。有關錯誤代碼的定義,，請
參見表13-3,。
RCPx_Write 子程序
子程序RCPx_WRITE是由配方向導創(chuàng)建的。調用該指令可以
使V存儲區(qū)中的配方內容替代存儲卡中的配方,。
RCPx_WRITE指令中的x是指包含您想替代的配方的配方
定義,。
當EN輸人為高電平時,，允許指令執(zhí)行,。

 西門子CPU模塊6ES7515-2AM01-0AB0

編寫SFC51程序：

CALL "RDSYSST"
REQ :=TRUE
SZL_ID :=W#16#74 //讀取全部指示燈狀態(tài)
INDEX :=W#16#0
RET_VAL :=MW0
BUSY :=M2.0
SZL_HEADER:=#length
DR :=P#DB1.DBX0.0 BYTE 500 //結果輸出到DB1數(shù)據(jù)塊中
DB1存放的結果即為模塊的指示燈狀態(tài)，每個指示燈有4個字節(jié)的長度來描述,。

前兩個字節(jié)表示燈的類型（見表二）,，表示是SF燈還是BF燈等等。
第三個字節(jié)表示燈是亮還是滅,，如果為1則燈亮,，如果為0則燈的狀態(tài)是滅。
第四個字節(jié)表示燈是否閃爍,，0表示不閃,，1表示正常閃爍（2hz），2,表示慢閃（0.5hz）
燈的類型列表如下(不同的CPU會有不同數(shù)目的指示燈)：

表2 前兩個字節(jié)的含義

注意事項：
關于系統(tǒng)功能SFC51的更多詳情請參閱STEP 7的在線幫助,，或者通過Start > SIMATIC > documentATION選擇手冊“System Software for S7-300/400 System and Standard Functions”

3 讀取Profibus DP從站 狀態(tài)

3.1 編程
首先需要創(chuàng)建一個數(shù)據(jù)塊,，用來存放讀取出來的狀態(tài)結果

圖4 創(chuàng)建DB1，存放讀取結果

打開OB1,首先在OB1的臨時變量區(qū)創(chuàng)建一個變量length,，類型設置為Struct（結構）

圖5 創(chuàng)建名為length的結構變量

雙擊length變量,，進入結構變量成員定義，創(chuàng)建兩個word類型的變量，本例中分別為size和number：

圖6 創(chuàng)建length的結構變量的兩個word成員