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中圖儀器WD4000半導體晶圓表面幾何形貌檢測系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建,，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,，TTV，BOW,、WARP,、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。它可測各類包括從光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度,、粗糙度,、平整度、微觀幾何輪廓,、曲率等,。
WD4000半導體晶圓表面幾何形貌檢測系統(tǒng)可廣泛應用于襯底制造,、晶圓制造、及封裝工藝檢測,、3C 電子玻璃屏及其精密配件,、光學加工、顯示面板,、MEMS 器件等超精密加工行業(yè)中,，自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。
1,、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、TIR,、SORI等參數(shù)，同時生成Mapping圖,；
2,、采用白光干涉測量技術(shù)對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,，高效分析表面形貌,、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù)；
3,、基于白光干涉圖的光譜分析儀,，通過數(shù)值七點相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,，實現(xiàn)膜厚測量功能,；
4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,，由此計算出兩表面間的距離（即厚度）,，可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,，包括碳化硅,、藍寶石、氮化鎵,、硅等,。
產(chǎn)品優(yōu)勢
1,、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量
集成厚度測量模組和三維形貌,、粗糙度測量模組,，使用一臺機器便可完成厚度、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、粗糙度,、及三維形貌的測量。
2,、高精度厚度測量技術(shù)
（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進行高效掃描,。
（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤，晶圓規(guī)格可支持至12寸,。
（3）采用Mapping跟隨技術(shù),，可編程包含多點、線,、面的自動測量,。
3、高精度三維形貌測量技術(shù)
（1）采用光學白光干涉技術(shù),、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,，Z向分辨率高可到0.1nm；
（2）隔振設(shè)計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,，獲得高測量重復性,。
（3）機器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點，虛擬夾具擺正樣品,，可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量,。
4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺
（1）大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),，移動速度500mm/s,。
（2）高精度花崗巖基座和橫梁，整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,、可靠,。
（3）關(guān)鍵運動機構(gòu)采用高精度直線導軌導引、AC伺服直驅(qū)電機驅(qū)動,，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng)，保證設(shè)備的高精度、高效率,。
5、操作簡單,、輕松無憂
（1）集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,，可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作,。
（2）具備雙重防撞設(shè)計,，避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。
（3）具備電動物鏡切換功能,，讓觀察變得快速和簡單。
WD4000晶圓檢測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度,、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確,?？蓪崿F(xiàn)砷化鎵,、氮化鎵、磷化鎵,、鍺,、磷化銦,、鈮酸鋰、藍寶石,、硅,、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測,。
測量功能
1,、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化),、LTV、BOW,、WARP,、TIR、SORI、平面度,、等,；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度,、平整度,、微觀幾何輪廓、面積,、體積等,。
3、提供調(diào)整位置,、糾正,、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能,。其中調(diào)整位置包括圖像校平,、鏡像等功能；糾正包括空間濾波,、修描,、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形,、標準濾波,、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。
4,、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析,、結(jié)構(gòu)分析,、頻率分析、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺階高,、距離、角度,、曲率等特征測量和直線度,、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度,、ISO12781平整度等全參數(shù)；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷,。
應用案例
部分技術(shù)規(guī)格
| 品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
| 型號 | WD4000系列 |
| 測量參數(shù) | 厚度,、TTV(總體厚度變化)、BOW,、WARP,、LTV、粗糙度等 |
| 可測材料 | 砷化鎵,、氮化鎵,、磷化鎵、鍺,、磷化銦、 鈮酸鋰,、藍寶石,、硅、碳化硅,、氮化鎵,、玻璃、外延材料等 |
| 厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
| 可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
| 測量范圍 | 150μm~2000μm |
| 掃描方式 | Fullmap面掃,、米字,、自由多點 |
| 測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化),、LTV,、BOW、WARP,、平面度,、線粗糙度 |
| 三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
| 測量原理 | 白光干涉 |
| 干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X,、20X,、50X,可選多個) |
| 可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
| 粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
| 測量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度,、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
| 膜厚測量系統(tǒng) | |
| 測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
| 景深 | 1200um |
| 最小可測厚度 | 0.4um |
| 紅外干涉測量系統(tǒng) | |
| 光源 | SLED |
| 測量范圍 | 37-1850um |
| 晶圓尺寸 | 4",、6"、8",、12" |
| 晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
| X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
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