當(dāng)前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導(dǎo)體專業(yè)檢測設(shè)備>>晶圓形貌測量系統(tǒng)>> WD4000晶圓厚度晶圓翹曲度測量儀
中圖儀器WD4000晶圓厚度晶圓翹曲度測量儀通過非接觸測量,,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,,TTV,,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷,。
WD4000晶圓厚度晶圓翹曲度測量儀采用高精度光譜共焦傳感技術(shù),、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3DMapping圖,,實現(xiàn)晶圓厚度、TTV,、LTV,、Bow、Warp,、TIR,、SORI、等反應(yīng)表面形貌的參數(shù),??杉嫒莶煌馁|(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer,、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確,,可實現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、鈮酸鋰,、藍寶石、硅,、碳化硅,、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測。
測量功能
1,、厚度測量模塊:厚度,、TTV(總體厚度變化)、LTV,、BOW,、WARP、TIR,、SORI,、平面度、等,;
2,、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓,、面積,、體積等。
3,、提供調(diào)整位置,、糾正、濾波,、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能,。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能,;糾正包括空間濾波,、修描、尖峰去噪等功能,;濾波包括去除外形,、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能,;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。
4、提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析,、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析,、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺階高、距離,、角度,、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等,;粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù),;結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷,。
WD4000可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造,、及封裝工藝檢測,、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工,、顯示面板,、MEMS器件等超精密加工行業(yè),。可測各類包括從光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面,,從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度,、平整度,、微觀幾何輪廓、曲率等,,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計300余種2D,、3D參數(shù)作為評價標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品優(yōu)勢
1,、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量
集成厚度測量模組和三維形貌,、粗糙度測量模組,,使用一臺機器便可完成厚度、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、粗糙度,、及三維形貌的測量。
2,、高精度厚度測量技術(shù)
(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進行高效掃描,。
(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規(guī)格最大可支持至12寸,。
(3)采用Mapping跟隨技術(shù),,可編程包含多點、線,、面的自動測量,。
3、高精度三維形貌測量技術(shù)
(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù),、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,,Z向分辨率高可到0.1nm;
(2)隔振設(shè)計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,,獲得高測量重復(fù)性,。
(3)機器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點,虛擬夾具擺正樣品,,可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量,。
4,、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺
(1)大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),移動速度500mm/s,。
(2)高精度花崗巖基座和橫梁,,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠,。
(3)關(guān)鍵運動機構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引,、AC伺服直驅(qū)電機驅(qū)動,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),,保證設(shè)備的高精度,、高效率。
5,、操作簡單,、輕松無憂
(1)集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺平移,、Z向聚焦等測量前準(zhǔn)工作,。
(2)具備雙重防撞設(shè)計,避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況,。
(3)具備電動物鏡切換功能,,讓觀察變得快速和簡單。
應(yīng)用場景
1,、無圖晶圓厚度,、翹曲度的測量
通過非接觸測量,,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度,、總體厚度變化(TTV),,有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2,、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,,以25次測量數(shù)據(jù)計算重復(fù)性為0.046987nm,,測量穩(wěn)定性良好,。
部分參數(shù)
測量速度:最快15s
測量范圍:100μm~2000μm
測量精度:0.5um
重復(fù)性(σ):0.2um
探頭分辨率:23nm
掃描方式:Fullmap 面掃、米字,、 自由多點
測量參數(shù):厚度,、TTV(總體厚度變化),、BOW,、WARP、LTV,、粗糙度等
可測材料:砷化鎵,、氮化鎵、磷化鎵,、鍺,、磷化銦、 鈮酸鋰,、藍寶石,、硅、碳化硅,、氮化鎵,、玻璃、外延材料等
懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,,恕不另行通知,不便之處敬請諒解,。
如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯(lián)系中圖儀器咨詢,。