當前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導體專業(yè)檢測設(shè)備>>晶圓形貌測量系統(tǒng)>> WD4000半導體晶圓量測設(shè)備
中圖儀器WD4000半導體晶圓量測設(shè)備通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,,TTV,,BOW、WARP,、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷??蓪崿F(xiàn)砷化鎵,、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、鈮酸鋰、藍寶石,、硅、碳化硅,、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測,。
WD4000半導體晶圓量測設(shè)備自動測量Wafer厚度,、表面粗糙度、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。
1,、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness,、TTV、LTV,、BOW、WARP,、TIR,、SORI等參數(shù),,同時生成Mapping圖;
2,、采用白光干涉測量技術(shù)對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌,、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù),;
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,,通過數(shù)值七點相移算法計算,,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,,實現(xiàn)膜厚測量功能;
4,、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),,可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,,包括碳化硅、藍寶石,、氮化鎵,、硅等,。
WD4000晶圓量測設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度,、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確,。
測量功能
1、厚度測量模塊:厚度,、TTV(總體厚度變化)、LTV,、BOW,、WARP,、TIR、SORI、平面度,、等;
2,、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度,、微觀幾何輪廓、面積,、體積等。
3,、提供調(diào)整位置、糾正,、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能,。其中調(diào)整位置包括圖像校平,、鏡像等功能,;糾正包括空間濾波、修描,、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形,、標準濾波,、過濾頻譜等功能,;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4,、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析,、結(jié)構(gòu)分析,、頻率分析,、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高,、距離,、角度,、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等,;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度,、ISO12781平整度等全參數(shù),;結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷,。
WD4000晶圓量測設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造,、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件,、光學加工,、顯示面板,、MEMS器件等超精密加工行業(yè)??蓽y各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,,從納米到微米級別工件的厚度,、粗糙度,、平整度、微觀幾何輪廓,、曲率等,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標準共計300余種2D、3D參數(shù)作為評價標準,。
應(yīng)用案例
1、無圖晶圓厚度,、翹曲度的測量
通過非接觸測量,,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,、粗糙度、總體厚度變化(TTV),,有效保護膜或圖案的晶片的完整性,。
2,、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,,以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm,,測量穩(wěn)定性良好,。
部分技術(shù)規(guī)格
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號 | WD4000系列 |
測量參數(shù) | 厚度,、TTV(總體厚度變化),、BOW、WARP,、LTV,、粗糙度等 |
可測材料 | 砷化鎵、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、 鈮酸鋰,、藍寶石,、硅、碳化硅,、氮化鎵,、玻璃、外延材料等 |
厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃,、米字,、自由多點 |
測量參數(shù) | 厚度,、TTV(總體厚度變 化),、LTV、BOW,、WARP,、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X,、5X,、20X、50X,可選多個) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
測量參數(shù) | 顯微形貌 ,、線/面粗糙度,、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
膜厚測量系統(tǒng) | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6",、8",、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,,恕不另行通知,,不便之處敬請諒解。
如有疑問或需要更多詳細信息,,請隨時聯(lián)系中圖儀器咨詢,。