WD4000晶圓厚度測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度,、三維形貌,、單層膜厚、多層膜厚,。

1,、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、TIR,、SORI等參數(shù)，同時生成Mapping圖,；

2,、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,，高效分析表面形貌,、粗糙度及相關3D參數(shù)；

3,、基于白光干涉圖的光譜分析儀,，通過數(shù)值七點相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,，實現(xiàn)膜厚測量功能,；

4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,，由此計算出兩表面間的距離（即厚度）,，可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,，包括碳化硅、藍寶石,、氮化鎵,、硅等。

WD4000晶圓厚度測量系統(tǒng)通過非接觸測量,，將晶圓的三維形貌進行重建,，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV,，BOW,、WARP,、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？蓮V泛應用于襯底制造,、晶圓制造、及封裝工藝檢測,、3C電子玻璃屏及其精密配件,、光學加工、顯示面板,、MEMS器件等超精密加工行業(yè),。可測各類包括從光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面,，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度,、平整度,、微觀幾何輪廓、曲率等,，提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標準共計300余種2D,、3D參數(shù)作為評價標準。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1,、非接觸厚度,、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,，使用一臺機器便可完成厚度,、TTV、LTV,、BOW,、WARP、粗糙度,、及三維形貌的測量,。

2、高精度厚度測量技術

（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描,。

（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,，晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。

（3）采用Mapping跟隨技術,，可編程包含多點,、線、面的自動測量。

3,、高精度三維形貌測量技術

（1）采用光學白光干涉技術,、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm,；

（2）隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,，獲得高測量重復性。

（3）機器視覺技術檢測圖像Mark點,，虛擬夾具擺正樣品,，可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。

4,、大行程高速龍門結構平臺

（1）大行程龍門結構(400x400x75mm),，移動速度500mm/s。

（2）高精度花崗巖基座和橫梁,，整體結構穩(wěn)定,、可靠。

（3）關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引,、AC伺服直驅(qū)電機驅(qū)動,，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng)，保證設備的高精度,、高效率,。

5、操作簡單,、輕松無憂

（1）集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,，可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作,。

（2）具備雙重防撞設計,，避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。

（3）具備電動物鏡切換功能,，讓觀察變得快速和簡單,。

應用場景

1、無圖晶圓厚度,、翹曲度的測量

通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進行重建,，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,、粗糙度、總體厚度變化(TTV),，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。

2,、無圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,，以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm,，測量穩(wěn)定性良好。

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部分技術規(guī)格

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