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西門子數(shù)控系統(tǒng)維修Uces：當(dāng)GTR飽和導(dǎo)通時(shí),，C，E間的電壓降,。⑶在開(kāi)關(guān)過(guò)程中①開(kāi)通時(shí)間Ton：從B極通入正向信號(hào)電流時(shí)起,，到集電極電流上升到0.9Ics所需要的時(shí)間。②關(guān)斷時(shí)間Toff：從基極電流撤消時(shí)起,，至Ic,。整機(jī)高度簡(jiǎn)潔，操作方便,，外觀時(shí)尚,，液晶及中文漢字顯示，指示信息全面,，豐富而美的中文提示,，使一般的泵房管理人員無(wú)需經(jīng)過(guò)復(fù)雜的培訓(xùn)，也能對(duì)各項(xiàng)操作運(yùn)用自如,，而無(wú)需專業(yè)工程師對(duì)其操作,。而對(duì)于安裝調(diào)試人員，溝通即可處理一般故障,，節(jié)省時(shí)間,，操作更輕松。
附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,。只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,。
從P基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。在使用模塊時(shí),，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,，再觸摸,；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊,；盡量在底板良好接地的情況下操作,。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,。西門子802DSL系統(tǒng)報(bào)缺少軸使能修復(fù)解決