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NANYTE BEAM臺(tái)式無掩模光刻機(jī)/
激光光束分析儀是用于測(cè)量激光光束直徑,、形
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李嚴(yán)波教授團(tuán)隊(duì)Nature Communications最新研究成果

閱讀：1601 發(fā)布時(shí)間：2022/3/3

電子科技大學(xué)李嚴(yán)波教授團(tuán)隊(duì)在Nature Communications（自然-通訊）期刊上發(fā)表了最新研究成果“Interface engineering of Ta₃N₅ thin film photoanode for highly efficient photoelectrochemical water splitting"。

團(tuán)隊(duì)通過對(duì)氮化鉭(Ta₃N₅)薄膜進(jìn)行界面修飾,，并將這種高效的界面修飾方法與NiCoFe-Bi產(chǎn)氧助催化劑相結(jié)合,，In：GaN/Ta₃N₅/Mg：GaN薄膜光陽極光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了3.46%，最高光電轉(zhuǎn)化效率,。其中我公司代理的XES-40S3-TT光催化專用AA*太陽光模擬器在研究過程中提供了有效的幫助,。

主要內(nèi)容

先進(jìn)的界面修飾工程不僅可以提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率,，還可以提高器件的穩(wěn)定性。文中對(duì)Ta₃N₅薄膜光陽極的Ta₃N₅/電解液界面和Ta₃N₅/背電極界面同時(shí)進(jìn)行界面修飾,，大幅提高光電轉(zhuǎn)換效率,，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了較長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定光電催化。本文使用“一步高溫氮化法",，將電子束蒸發(fā)和原子層沉積兩種方法相結(jié)合,，制備了“三明治結(jié)構(gòu)"的薄膜光陽極In：GaN/Ta₃N₅/Mg：GaN,。

In:GaN/TTa₃N₅/Mg:GaN薄膜光陽極的制備流程示意圖

本文通過PL測(cè)試表明,，Mg：GaN和In：GaN層可以起到表面鈍化作用，降低Ta₃N₅薄膜中的缺陷濃度,。本文通過電化學(xué)測(cè)試表明,，這種界面修飾方法減少了由于表面態(tài)缺陷引起的費(fèi)米能級(jí)釘扎作用，降低了光陽極器件的起始電位,。最后將這種高效的界面修飾方法與NiCoFe-Bi產(chǎn)氧助催化劑相結(jié)合,，In：GaN/Ta₃N₅/Mg：GaN薄膜光陽極光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了3.46%，最高光電轉(zhuǎn)化效率,！