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制造納米結構以形成納米器件少不了原子層沉積系統(tǒng)
原子層沉積系統(tǒng),，也稱為原子層外延,，或原子層化學氣相沉積。
原子層沉積系統(tǒng)是在加熱的襯底上連續(xù)引入至少兩個蒸汽前驅體源,，當表面飽和時,，化學吸附自動終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表面的物理吸附,?；镜脑訉映练e周期包括四個步驟：脈沖a、清洗a,、脈沖b和清洗b,，重復沉積周期，直到獲得所需的膜厚,，這是制造納米結構以形成納米器件的工具,。
原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)勢包括：
1.通過控制反應循環(huán)次數(shù)，可以控制薄膜厚度,，從而達到原子層厚度精度的薄膜,；
2.由于前驅體被化學吸附飽和，保證生成大面積均勻薄膜,；
3.可制備優(yōu)良的三維共形化學計量膜,，可用作納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層；
4.可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物,；
5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進行,；
6.可廣泛應用于各種形狀的基材；
7.生長的金屬氧化物薄膜可用于介質,、電致發(fā)光顯示絕緣體,、電容器電介質和微機電系統(tǒng)器件，生長的金屬氮化物薄膜適用于擴散阻擋層,。
原子層沉積系統(tǒng)主要特征：
1.樣品類型：粉末樣品,、旗幟樣品；
2.原子層沉積系統(tǒng)可與高真空等系統(tǒng)互聯(lián),；
3.腔體發(fā)熱400℃,，控溫精度1℃,；
4.復雜的管道氣體回路，可有八種前驅體,、兩種氧化還原氣體回路和三種載氣；
5.高溫鼓泡器的*設計可以提高低蒸氣壓固體源的反應效率和重復性,；
6.原子層沉積系統(tǒng)自動控制系統(tǒng),，可通過自編程實現(xiàn)不同類型ALD樣品的生長；
7.模糊算法自整定的PID自動溫度控制,；
8.全金屬密封,，適用于腐蝕性反應；
9.實時測量和控制氣體流量和真空度,；
10.在線原位分析氣體成分,；
11.原子層沉積系統(tǒng)帶有臭氧發(fā)生器和反應殘渣熱分解裝置。