聚合物發(fā)光二極管中的電子陷阱動力學Matthias Diethelm, Michael Bauer, Wei-Hsu Hu, Camilla Vael, Sandra Jenatsch, Paul W. M. Blom, Frank Nüesch and Roland Hany* 本文研究了Super Yellow(SY) PLEDs在電學Stress脈沖作用下時間尺度跨越長達8數量級的電子陷阱動力學特征,，其中使用Paios光電瞬態(tài)特性測量系統(tǒng)表征PLED器件的陷阱動力學，并且借助Setfos模擬仿真軟件對器件性能進行全面仿真。 主要內容應用于光電器件的半導體聚合物正被廣泛研究,，包括溶液處理發(fā)光二極管(PLEDs)。聚合物中的電荷陷阱限制了電荷傳輸,，從而限制了PLED的效率,。電子傳輸受到普遍電子陷阱密度的阻礙，而空穴陷阱的形成則決定了PLEDs的長期退化,。在這里,，我們研究了從微秒到(幾個)小時的時間長度下，PLEDs對電子驅動和中斷的響應,，從而聚焦于電子陷阱,。作為參考聚合物，使用了一種稱為yellow(SY)的phenyl-substituted poly(para-phenylene vinylene) (PPV)共聚物,。確定了三種不同的陷阱,，深度≈0.4~0.7eV，總陷阱位置密度≈2×1017cm-3,。令人驚訝的是,，深陷阱的填充時間需要幾分鐘到幾個小時，這與通常認為電荷捕獲需要幾百微秒就可以完成的概念不同,。以poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene (MEH-PPV) and poly(3-hexylthiophene) (P3HT)為活性物質,，證實了PLEDs的慢陷阱填充特性。這種不尋常的現象可以用陷阱釋放后失效和陷阱緩慢再激活來解釋,。這些結果提供了有用的見解,，以查明半導體聚合物中普遍電子陷阱的化學性質。 產品推薦-Paios光電瞬態(tài)特性測量系統(tǒng)系統(tǒng)整合了DC,，AC和瞬態(tài)測試模式,，用于表征太陽能電池/OLED器件載流子遷移率、載流子壽命和濃度,、載流子動力學過程,、摻雜和陷阱分布等性能，對器件的瞬態(tài)性能進行全面分析,。 產品推薦-Setfos模擬仿真軟件Setfos用于各種類型太陽能電池（包括鈣鈦礦,、有機、疊層,、硅基電池等）,、鈣鈦礦LED,、OLED器件及相關光電材料性能的仿真系統(tǒng)，對器件設計,、構建,、光學性能、電學性能以及光電材料的性能進行模擬計算和優(yōu)化,。
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