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阻抗譜（IS）

阻抗譜是研究太陽能電池的一種常用的技術(shù),，簡稱IS或EIS（電化學(xué)阻抗譜），或者也可稱為導(dǎo)納光譜（導(dǎo)納是阻抗的倒數(shù)）,。通過施加一個不同頻率的小振幅交流正弦電勢波,，測量交流電勢與電流信號的比值，來測量器件的阻抗,。通過使用大范圍的頻率,，可以區(qū)分器件中不同的物理效應(yīng)，因為它們具有不同的瞬態(tài)動力學(xué)和界面結(jié)構(gòu),。例如,，陷阱可以在低頻范圍內(nèi)產(chǎn)生更大的效應(yīng)。

圖1.不同光照下的阻抗譜IS曲線

分析參數(shù)：電荷載流子遷移率,、俘獲動力學(xué),、等效電路

在阻抗譜中，根據(jù)圖2公式將小正弦電壓V（t）施加到太陽能電池上

圖2

其中 V0是偏置電壓,，Vamp是電壓振幅,，ω是角頻率 2?π?f,。如果電壓振幅Vamp足夠小，則系統(tǒng)可以被認為是線性的,，因此電流密度j（t）也是正弦曲線,，可分析其電流的振幅和相位變化。阻抗譜在不同的頻率/偏置電壓/偏置光下進行測試,，使用瞬態(tài)電壓和瞬態(tài)電流信號,，根據(jù)圖3公式計算復(fù)數(shù)阻抗Z

圖3

其中Y是導(dǎo)納，N是周期數(shù),，T是周期1/f,，i是虛數(shù)單位，ω是角頻率,。為了分析阻抗,，通常將電容C和電導(dǎo)G繪制成隨頻率變化的圖，或者根據(jù)偏置電壓計算

圖4

其中 ω 是角頻率,，Im（） 表示虛部,，Re（） 表示實部。

通常,，阻抗譜數(shù)據(jù)繪制在Cole-Cole圖里,。在這里，阻抗Z的實部和虛部繪制在不同頻率的復(fù)數(shù)平面上,；或者繪制電容C與頻率的關(guān)系圖,，如下：

圖5.電容-頻率曲線

使用阻抗譜技術(shù)的主要優(yōu)勢之一是可以分離發(fā)生在不同時間尺度上的效應(yīng)。例如：與自由載流子的傳輸相比,，俘獲和釋放通常發(fā)生在更長的時間尺度（更低的頻率）上,。最常見的是使用等效電路分析阻抗譜數(shù)據(jù)，不過等效電路的缺點是結(jié)果有可能不明確,，所以參數(shù)不能與宏觀材料參數(shù)直接關(guān)聯(lián),。

Knapp和Ruhstaller通過小信號分析求解漂移擴散方程，以模擬阻抗譜數(shù)據(jù),。在這里,，物理參數(shù)被用作模擬輸入，可用于直接解釋結(jié)果,。在本研究中應(yīng)用軟件Setfos也采用了相同的方法,。

測量電容是探測由于空間電荷效應(yīng)造成的陷阱位置占用的一種方法。慢陷阱可以增加低頻下的電容,。此外，鈣鈦礦太陽能電池中可能存在的緩慢離子電荷會導(dǎo)致低頻下電容的增加,；電荷載流子的復(fù)合會導(dǎo)致電容降低,，甚至可能變?yōu)樨摂?shù),。此外，根據(jù)Knapp和Ruhstaller的分析,，器件的自發(fā)熱也會導(dǎo)致負電容,。正電容表示電壓和電流之間的相移為正（電壓引導(dǎo)電流），負電容表示相移變?yōu)檎娏饕龑?dǎo)電壓）,。

在SI中,，我們展示了在Cole-Cole圖中繪制的不同偏置電壓在光照下的阻抗模擬。通常認為,，Cole-Cole圖中半圓的大小代表了器件的復(fù)合性能,。根據(jù)模擬結(jié)果，得出結(jié)論,，許多效應(yīng)會影響復(fù)平面中半圓的大小,，因此建議仔細解釋這些結(jié)果。

在相同的偏置電壓下,，低頻時阻抗的實部與JV曲線中電流斜率的倒數(shù)相一致,。如果探測頻率足夠低，則基本上可以測量直流特性,。因此,，IV曲線可以用作阻抗測量的一致性檢查。根據(jù)低頻阻抗數(shù)據(jù),，可以在不使用等效電路的情況下重建JV曲線,。

圖6 顯示了所有情況下的阻抗模擬。在基本情況下,，主要觀察到RC效應(yīng),。然而，由于背面光照,，電容略高于27 nF/cm2的幾何電容,，大量電荷會導(dǎo)致勢壘區(qū)減小，從而產(chǎn)生更高的電容,。因此,，提取勢壘（a），低遷移率（b）,，陷阱（c）或摻雜（e）會導(dǎo)致光照下的電容增加,。在深度和緩慢陷阱（c）的情況下，這種電容上升僅在低頻下發(fā)生,。如果探測頻率太高,，則無法在一個周期內(nèi)捕獲和釋放電荷。因此,，這些緩慢陷阱在高頻下是不可見的（例如圖6（c）中的100 kHz）,。對于淺陷阱,，釋放要快得多 - 因此電容上升已經(jīng)在更快的時間尺度上發(fā)生。

在上面所有情況下,，電容在頻率高于1 MHz時由于RC效應(yīng)都會降低,。在串聯(lián)電阻（d）較高的情況下，由于RC時間較長,，電容減小移至較低的頻率,。根據(jù)圖7計算RC效應(yīng)的阻抗ZRC。

圖7

其中Rs是串聯(lián)電阻,，i 是虛數(shù)單位,，ω 是角頻率，Cgeom是幾何電容,。使用圖7等式在黑暗條件下通過電容-頻率圖計算串聯(lián)電阻和幾何電容,。

以上所有測試數(shù)據(jù)來自設(shè)備：Paios

以上所有模擬仿真使用軟件：Setfos