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LED太陽(yáng)光模擬器 AAA+級(jí)雙光太陽(yáng)光模擬器 AAA太陽(yáng)光模擬器 150W 太陽(yáng)光模擬器 聚光太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池IV性能測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池組件測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池測(cè)試 多通道太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 OLED模擬軟件 太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試 光纖太陽(yáng)光模擬器 光譜響應(yīng)/量子效率量測(cè)儀 全光譜太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)試系統(tǒng) AAA級(jí)太陽(yáng)光模擬器 雙燈太陽(yáng)光模擬器 穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)光模擬器 瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)試系統(tǒng) 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試設(shè)備 載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)試系統(tǒng)
太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統(tǒng)主要測(cè)量功能有哪些,？
太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統(tǒng)主要應(yīng)用：
1,、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體光電器件，有機(jī)半導(dǎo)體光電器件
2,、有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV
3,、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED
4,、無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池（例如：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅,、非晶硅等硅基太?yáng)能電池）
5,、染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC
太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統(tǒng)主要測(cè)量功能：
1、最大功率點(diǎn)MMP,、FF,、Voc、Isc,、VS 光強(qiáng),，遷移率（I-V測(cè)試 & I-V-L測(cè)試，空間電荷限制電流SCLC法）
2,、載流子密度,，載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
3、載流子壽命,，載流子符合動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開(kāi)路電壓法 TPV）
4,、載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
5,、串聯(lián)電阻,，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
6,、參雜密度,，電容率，串聯(lián)電阻,，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
7,、載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
1,、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體光電器件，有機(jī)半導(dǎo)體光電器件
2,、有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV
3,、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED
4,、無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池（例如：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅,、非晶硅等硅基太?yáng)能電池）
5,、染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC
太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統(tǒng)主要測(cè)量功能：
1、最大功率點(diǎn)MMP,、FF,、Voc、Isc,、VS 光強(qiáng),，遷移率（I-V測(cè)試 & I-V-L測(cè)試，空間電荷限制電流SCLC法）
2,、載流子密度,，載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
3、載流子壽命,，載流子符合動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開(kāi)路電壓法 TPV）
4,、載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
5,、串聯(lián)電阻,，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
6,、參雜密度,，電容率，串聯(lián)電阻,，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
7,、載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
載流子復(fù)合過(guò)程,，朗之萬(wàn)函數(shù)復(fù)合前因子（時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）
8,、不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度,，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
9、幾何電容,，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
10,、陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試 IS）
11,、遷移率,，陷阱強(qiáng)弱度，電容,，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
12,、內(nèi)建電壓，參雜濃度,，注入勢(shì)壘,，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
13、點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
14,、發(fā)光壽命,，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）
8,、不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度,，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
9、幾何電容,，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
10,、陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試 IS）
11,、遷移率,，陷阱強(qiáng)弱度，電容,，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
12,、內(nèi)建電壓，參雜濃度,，注入勢(shì)壘,，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
13、點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
14,、發(fā)光壽命,，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）
