您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)
會(huì)員.png)
6產(chǎn)品分類品牌分類
-
AAA+級(jí)雙光太陽(yáng)光模擬器 AAA太陽(yáng)光模擬器 150W 太陽(yáng)光模擬器 聚光太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池IV性能測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池組件測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池測(cè)試 多通道太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 OLED模擬軟件 太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試 光纖太陽(yáng)光模擬器 光譜響應(yīng)/量子效率量測(cè)儀 全光譜太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)試系統(tǒng) AAA級(jí)太陽(yáng)光模擬器 雙燈太陽(yáng)光模擬器 穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)光模擬器 瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)試系統(tǒng) 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試設(shè)備 載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)試系統(tǒng)
原子層沉積系統(tǒng)是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)
原子層沉積系統(tǒng)是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),，具有廣泛的應(yīng)用,。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù),。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積,。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑,、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能,。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上,。
原子層沉積系統(tǒng)特點(diǎn)：是一款獨(dú)立的PC計(jì)算機(jī)控制的ALD，帶Labview軟件,，具備四級(jí)密碼控制的用戶授權(quán)保護(hù)功能,。系統(tǒng)為全自動(dòng)的安全互鎖設(shè)計(jì)，并提供了強(qiáng)大的靈活性,，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）,。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體,、光伏、MEMS等,。系統(tǒng)提供12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體,，帶有加熱腔壁和氣動(dòng)升降頂蓋，非常方便腔體的訪問(wèn)和清潔,。該系統(tǒng)擁有一個(gè)載氣艙包含多達(dá)7個(gè)50ml的加熱汽缸,，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時(shí)帶有N2或者Ar作為運(yùn)載氣體的快脈沖加熱傳輸閥,。
選配：系統(tǒng)的選配項(xiàng)包含自動(dòng)L/UL上下載(用于6”基片),，ICP離子源(用于等離子增強(qiáng)的PEALD)，臭氧發(fā)生器,，等等,。
應(yīng)用：
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.
Nano laminates納米復(fù)合材料
隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進(jìn)技術(shù)不斷融合以及人們對(duì)原子層沉積設(shè)備的不斷改進(jìn),，諸如“等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)”,、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題,。
在過(guò)去二十多年,，等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)發(fā)展迅速。通過(guò)巧妙設(shè)計(jì)等離子體引入方式,，人們已經(jīng)設(shè)計(jì)出各種等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備,。
從文獻(xiàn)報(bào)道來(lái)看，針對(duì)太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用,，一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時(shí)超過(guò)3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力,。由于空間式原子層沉積設(shè)備中沉積速率不再受限于單個(gè)循環(huán)步驟的累計(jì)時(shí)間，僅取決于襯底或前驅(qū)體噴嘴在兩個(gè)半反應(yīng)區(qū)間移動(dòng)所需的時(shí)間,，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量,，若能保證1s通過(guò)一個(gè)這樣規(guī)格的Si片，目前的設(shè)計(jì)*可以滿足工業(yè)化應(yīng)用需求,。此外,，針對(duì)柔性襯底表面沉積時(shí)，采用轉(zhuǎn)動(dòng)式的反應(yīng)器設(shè)計(jì),，同樣能將沉積速率提升至1.2nm/s,。
原子層沉積技術(shù)經(jīng)過(guò)四十多年的發(fā)展，無(wú)論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴(kuò)展與改進(jìn)上,，都已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步,，在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過(guò)程中仍面臨著一些挑戰(zhàn),。