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如果你還不了解原子層沉積的應(yīng)用,，請(qǐng)看這里！
原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度,、成份和結(jié)構(gòu))
原子層沉積,，初稱為原子層外延,，也稱為原子層化學(xué)氣相沉積。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種,，化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止,，適當(dāng)?shù)倪^(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
可以沉積的材料包括：氧化物,，氮化物,，氟化物,，金屬,，碳化物，復(fù)合結(jié)構(gòu),，硫化物,，納米薄層等。
半導(dǎo)體領(lǐng)域
晶體管柵極電介質(zhì)層(高k材料),，光電元件的涂層,，晶體管中的擴(kuò)散勢(shì)壘層和互聯(lián)勢(shì)壘層(阻止摻雜劑的遷移)，有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,，集成電路中的互連種子層,，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層,，電磁記錄頭的涂層,，集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
納米技術(shù)領(lǐng)域
中空納米管,，隧道勢(shì)壘層,，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制,，高高寬比納米圖形,，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體,，ZnSe涂層,，納米結(jié)構(gòu)，中空納米碗,，存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層,，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層,，納米線的涂層,。
上述領(lǐng)域并不代表原子層沉積技術(shù)的所有可能應(yīng)用領(lǐng)域，隨著科技的發(fā)展在不遠(yuǎn)的將來(lái)將會(huì)發(fā)現(xiàn)其越來(lái)越多的應(yīng)用,。根據(jù)該技術(shù)的反應(yīng)原理特征,，各類不同的材料都可以沉積出來(lái),。已經(jīng)沉積的材料包括金屬、氧化物,、碳(氮,、硫、硅)化物,、各類半導(dǎo)體材料和超導(dǎo)材料等,。
生產(chǎn)商
在原子層沉積系統(tǒng)有品牌和自主品牌兩類。在國(guó)外品牌以劍橋(cambridge)歷史悠久,，各洲銷售量幾百臺(tái),。其次以芬蘭的BENEQ和picosun，在ALD領(lǐng)域投入大量研發(fā)工作,，通過(guò)原子層沉積來(lái)制備薄膜,，由于 ALD 沉積系統(tǒng)價(jià)格昂貴，而望而卻步,。歐洲Anric 致力于以低廉的成本在小尺寸桌面型(4~6英寸以內(nèi))上沉積出優(yōu)質(zhì)的薄膜,。在國(guó)內(nèi)已經(jīng)有幾家設(shè)備公司先后完成研發(fā)，在市場(chǎng)上推出自己的機(jī)型,。