研究表明[1,2],,對(duì)于任一表面,存在一溫度值,,當(dāng)表面溫度高于這一溫度值時(shí),,表面上的過(guò)冷水在1ns內(nèi)發(fā)生結(jié)冰的概率小于0.01,稱這一溫度值為該表面的實(shí)際低不結(jié)冰溫度θPPLU,。
通常認(rèn)為,,為防止結(jié)冰或者結(jié)霜的發(fā)生,必須水的溫度在0℃以上,。根據(jù)以上表面的實(shí)際低不結(jié)冰溫度的定義,,實(shí)際情況中,為了防止結(jié)冰的發(fā)生,,需且只需將與水接觸的表面溫度設(shè)定在該表面的θPPLU之上,,這為防止結(jié)冰或者結(jié)霜的發(fā)生提供了新的思路,選擇θPPLU 較低的表面對(duì)于提高過(guò)冷水連續(xù)制冰系統(tǒng)的制冰率和用能效率也具有關(guān)鍵性的意義,。過(guò)冷水連續(xù)制冰比傳統(tǒng)制冰方式具有更高制冰率和能量效率,,在蓄冷,、冷量的遠(yuǎn)距離輸送以及食品保鮮等領(lǐng)域有廣泛的用途,。
文[3,4]測(cè)量了金屬表面上以一定速度冷卻的過(guò)冷水發(fā)生結(jié)冰的情況。其測(cè)量結(jié)果與冷卻速度有關(guān),,不能反映表面性質(zhì)對(duì)過(guò)冷水發(fā)生結(jié)冰情況的影響,,同時(shí)由于其測(cè)量的表面范圍非常有限,,其結(jié)果對(duì)于選擇具有較低θPPLU的表面不具有指導(dǎo)意義。
本文從非均質(zhì)形核理論和估算界面能的極性理論出發(fā),,從理論上提出具有較低θPPLU的表面的選擇原則,,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了該原則的有效性,。
1 θPPLU較低的表面的選擇原則
結(jié)冰過(guò)程分為兩個(gè)階段:可自發(fā)長(zhǎng)大冰核的形成階段和冰核生長(zhǎng)階段[5],。前一階段中,,過(guò)冷水中形成大于臨界尺寸的可自發(fā)長(zhǎng)大的冰核,,后一階段中,,可自發(fā)長(zhǎng)大冰核生長(zhǎng),,過(guò)冷水變?yōu)楸?、水混合物,。冰核生長(zhǎng)階段中,,可自發(fā)長(zhǎng)大冰核的長(zhǎng)大過(guò)程是一個(gè)自發(fā)過(guò)程,,只要周圍的水處于過(guò)冷狀態(tài),可自發(fā)長(zhǎng)大冰核就必然生長(zhǎng),,不可控制,。因而,為了防止過(guò)冷發(fā)生結(jié)冰,,必須阻止過(guò)冷水中*個(gè)可自發(fā)長(zhǎng)大冰核的形成,。由于任何可自發(fā)長(zhǎng)大冰核必然包含小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核,因而上述結(jié)論也可以表述為,,為了防止過(guò)冷水發(fā)生結(jié)冰,,必須阻止過(guò)冷水中*個(gè)小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核的形成。
可自發(fā)長(zhǎng)大冰核的形成有兩種方式:均質(zhì)形核和非均質(zhì)形核,。實(shí)際情況中,,結(jié)冰一般由非均質(zhì)形核引起,它是指過(guò)冷水中水分子依附于固體表面形成可自發(fā)長(zhǎng)大冰核,。 圖1顯示了非均質(zhì)形核形成的小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核的形狀,。小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核呈球缺形狀,其曲率半徑為r,,底面與球面的夾角為α(稱為接觸角),。r和α越大,則小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核的體積越大,,因而越難以形成,,結(jié)冰越難以發(fā)生。非均質(zhì)形核理論認(rèn)為[1,5]r由固體表面的溫度決定,,α由固體表面的性質(zhì)決定,,因而為了使表面溫度較低時(shí)結(jié)冰仍難以發(fā)生,α應(yīng)取盡可能大的值。也即θPPLU較低的表面應(yīng)取盡可能大的α值,。
圖1 結(jié)冰過(guò)程非均質(zhì)形核示意圖
α可以根據(jù)下式計(jì)算:
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式中:γws, γis和γwi 分別代表水與表面之間、小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核與表面之間以及水與小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核之間的界面能,。在一定溫度下,,γwi是常數(shù),γws和γis與表面的性質(zhì)有關(guān),。
欲使α盡可能大,,cosα應(yīng)取盡可能小的值,取
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根據(jù)式(1)可知δγ應(yīng)取盡可能大的值,。
Good 和Girifalco 考慮到分子間作用力隨分子性質(zhì)變化的特點(diǎn),研究了兩相間界面能與兩相表面能之間的關(guān)系[6],,認(rèn)為
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式中:γ12是兩相之間的界面能, γ1, γ2分別是兩相的表面能, Wa是兩相之間的粘附功。
Fowkes提出了估算兩相間界面能的極性理論[6],,認(rèn)為
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式中:上標(biāo)d,h, m , π,i分別代表兩相之間色散力相互作用、氫鍵相互作用,、金屬鍵相互作用,、電子相互作用以及離子相互作用對(duì)粘附功的貢獻(xiàn)。
不論水或是冰的表面能中都僅包含色散力和氫鍵的貢獻(xiàn),,因而水或小可自發(fā)長(zhǎng)大冰核與表面之間的粘附功中均僅包含色散力和氫鍵的貢獻(xiàn),。因而根據(jù)式(3)、(4)可以得到:
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式中:γi, γw, γs分別代表冰、水以及結(jié)冰基體表面的表面能,。
將式(5),、(6)代入式(2)得
(7)
由于γi>γw, 因而根據(jù)式(7)欲使δγ取得盡可能大的值,, ,, 應(yīng)取盡可能小的值。
綜上所述,,θPPLU較低的表面的原則是:表面能中氫鍵和色散力分量應(yīng)盡可能小,。氫鍵型晶體的表面能中氫鍵分量較
大, 其它類型固體的表面能中氫鍵分量較小,,而在某些類型固體的表面能根本不包含氫鍵相互作用的貢獻(xiàn),。色散力在所有物質(zhì)的表面能中普遍存在,,可以直接測(cè)量。其大小與分子極化率的平方成正比,。一般來(lái)說(shuō)[6],,金屬,、離子型晶體表面能中色散力分量較大,,而有機(jī)物表面能中色散力分量較小。因而,,式(7)表明,,分子之間不存在氫鍵相互作用的有機(jī)物的表面一般應(yīng)具有較低的θPPLU值。
2 表面θPPLU 的確定方法
表面的θPPLU 難以直接測(cè)量,。為了確定表面的θPPLU ,,文[1]提出了表面的名義低不結(jié)冰溫度的概念。對(duì)于任一表
面,,存在一溫度值,,當(dāng)表面溫度高于這一溫度值時(shí),表面上的過(guò)冷水在1s 內(nèi)發(fā)生結(jié)冰的概率小于1/1800,, 則稱這一溫度值為該表面的名義低不結(jié)冰溫度(nominal possible lowest unfrozen temperature, θNPLU),。研究表明,θPPLU 隨著θNPLU 的升高而升高,,一般情況下,,θPPLU 高于θNPLU 但不超過(guò)1℃,表面的θNPLU 可以反映出θPPLU 的大小,。通過(guò)測(cè)量表面的θNPLU 可以對(duì)具有較低θPPLU 的表面的選擇原則進(jìn)行檢驗(yàn),。
3 實(shí)驗(yàn)裝置方法
如圖2所示,實(shí)驗(yàn)裝置主要由3部分組成:冷源系統(tǒng),、本體部分和溫度測(cè)量系統(tǒng),。冷源系統(tǒng)包括制冷機(jī)、加熱器,、分液箱和集液箱,。制冷機(jī)與加熱器協(xié)調(diào)工作,向分液箱提供溫度穩(wěn)定的冷媒,,冷媒由分液箱供給實(shí)驗(yàn)裝置系統(tǒng)本體部分,,然后返回集液箱。溫度測(cè)量系統(tǒng)包括熱電偶冰點(diǎn),、數(shù)據(jù)采集儀和計(jì)算機(jī),。數(shù)據(jù)采集儀每1s巡檢1次熱電偶的電勢(shì)值并將其傳送給計(jì)算機(jī),計(jì)算機(jī)將電勢(shì)值轉(zhuǎn)化為溫度值并儲(chǔ)存起來(lái),。
I源系統(tǒng),;II-本體部分;III-溫度測(cè)量系統(tǒng);
1-制冷機(jī),;2-加熱器,;3-分液箱;4-集液箱,;
5-實(shí)驗(yàn)裝置本體,;6-冰點(diǎn);7-數(shù)據(jù)采集儀,;8-計(jì)算機(jī),;v1,v2-閥門
圖2 實(shí)驗(yàn)裝置系統(tǒng)示意圖
實(shí)驗(yàn)裝置本體部分的結(jié)構(gòu)如圖3所示。平板材料使用不銹鋼或者紫銅,,厚0.5mm,,其上表面以平均峰谷表示的表面粗糙度為0.02μm,預(yù)先經(jīng)過(guò)脫脂處理,。當(dāng)需要測(cè)量高分子表面的θNPLU時(shí),,將高分子物質(zhì)涂覆于不銹鋼平板表面上。平板上表面粘附聚四氟乙烯圓筒,,實(shí)驗(yàn)用水盛在該圓筒中,,圓筒內(nèi)徑0.5cm,其中水柱高3cm,,與水接觸的平板表面積為0.85cm2,。聚四氟乙烯圓筒的外表面及平板和上表面良好保溫。圓筒上覆蓋透明玻璃片,。平板焊接在預(yù)割了缺口的冷媒管上,。實(shí)驗(yàn)中,低溫冷媒在冷媒管中快速流過(guò),,沖刷平板下面,,通過(guò)平板冷卻聚四氟乙烯圓筒中的水。為了避免破壞平板上表面的性狀,,測(cè)溫用T型熱電偶在平板的下表面,,實(shí)驗(yàn)用純水由清華大學(xué)微電子學(xué)研究所提供,由清華大學(xué)環(huán)境模擬與污染控制國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室測(cè)量出純水的電阻率為1.2MΩ·cm,。
1-聚四氟乙烯圓筒,;2-水;3-透明玻璃片,;4-保溫材料
5-冷媒,;6-冷媒管;7-熱電偶,;8-不銹鋼(或紫銅)平板
圖3 實(shí)驗(yàn)裝置本體部分結(jié)構(gòu)示意圖
在另一個(gè)與實(shí)驗(yàn)本體部分結(jié)構(gòu)相同的裝置上,,在平板的上表面上另外焊接一熱電偶,,測(cè)量平板上下表面之間的溫度差。測(cè)量結(jié)果表明,。當(dāng)水的初始溫度與冷媒溫度差不大于20℃時(shí)平板上下表面之間的溫差能夠在30s內(nèi)減小到0.1℃以內(nèi),。因而可以認(rèn)為實(shí)驗(yàn)過(guò)程中平板上表面溫度平板下表面的溫度相等,其誤差不超過(guò)0.1℃,。
實(shí)驗(yàn)開(kāi)始時(shí)先將冷媒系統(tǒng)與本體部分之間的閥門v1,、v2關(guān)閉。啟動(dòng)制冷機(jī)和加熱器,,待分液箱中冷媒溫度穩(wěn)定在預(yù)定值后,,打開(kāi)冷媒系統(tǒng)與本體部分之間的閥門,,并啟動(dòng)溫度測(cè)量,。當(dāng)發(fā)現(xiàn)溫度突然升高時(shí),停止實(shí)驗(yàn),。
4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
圖 4是某次實(shí)驗(yàn)的溫度變化曲線,。實(shí)驗(yàn)開(kāi)始后,測(cè)量點(diǎn)溫度從0℃迅速降至預(yù)定溫度±0.1℃的范圍,。過(guò)冷水結(jié)冰時(shí)迅速釋放潛熱,,使得測(cè)量點(diǎn)溫度突然升高,圖4中曲線上的小尖峰標(biāo)志著結(jié)冰的發(fā)生,。定義測(cè)量點(diǎn)溫度降至預(yù)定溫度到過(guò)冷水發(fā)生結(jié)冰的時(shí)間為過(guò)冷水的結(jié)冰時(shí)間,。
圖4 某一次實(shí)驗(yàn)的溫度變化曲線
作者對(duì)于一給定表面,在表面溫度θ1<θ2<…<θn下分別測(cè)量表面上過(guò)冷水發(fā)生結(jié)冰的時(shí)間,。根據(jù)表面θNPLU的定義,,若記在1800s內(nèi)過(guò)冷水發(fā)生結(jié)冰的所有測(cè)量中表面溫度的高值為θi,則表面的θNPLU介于θi,,θi+1之間,。圖5給出了不銹鋼平板表面的測(cè)量情況,圖中在橫軸上的點(diǎn)代表結(jié)冰時(shí)間小于1s,,對(duì)應(yīng)于結(jié)冰時(shí)間為1800s的點(diǎn)代表結(jié)冰時(shí)間大于1800s,。根據(jù)圖5,對(duì)于不銹鋼平板表面,,-6.9℃<θNPLU<-6.7℃,。
圖5 不銹鋼平板表面上過(guò)冷水結(jié)冰時(shí)間分布
表1 給出了幾種表面θNPLU的測(cè)量值。其中石蠟,、硬脂酸和聚四氟乙烯是按上述選擇原則選擇出的表面,,其表面能中氫鍵分量為0,色散力分量較小,。表1給出的結(jié)果表明,,這些表面的θNPLU明顯低于通常使用的不銹鋼或銅表面,。根據(jù)θNPLU與θPPLU的關(guān)系,這些表面的θPPLU也應(yīng)低于通常使用的不銹鋼或銅表面,。
表1 各種表面的θNPLU值
注:(1)指涂于金屬基材表面;(2)見(jiàn)文[6],。
5 討論
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,,以上提出的選擇θPPLU較低的表面的原則是有效的。
表面能是物質(zhì)表面的一種宏觀性質(zhì),,可以直接測(cè)量,,其作為選擇具有較低的θPPLU的表面的依據(jù)具有較好的可操作性。
目前尚未見(jiàn)到選擇增大凝固過(guò)冷度的表面的研究報(bào)道,。冶金工業(yè)上使用形核劑減小金屬凝固過(guò)冷度,。形核劑一般根據(jù)錯(cuò)位度δ選擇。研究表明,,用錯(cuò)位度作為選擇形核劑的標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠[7],。本文作者認(rèn)為這是由于錯(cuò)位度僅僅考慮了晶體與形核基體之間的界面能,而沒(méi)有考慮液體與形核基體的界面能,。錯(cuò)位度需要由表面的微觀性質(zhì)計(jì)算,,使用起來(lái)也不太方便。
6 結(jié)論
本文從非均質(zhì)形核理論和估算界面能的Fowkes極性理論出發(fā),,提出θPPLU較低的表面選擇原則為:表面能中色散力和氫鍵分量應(yīng)盡可能小,。一般情況下,可選擇分子之間不存在氫鍵相互作用的高分子表面,。測(cè)量結(jié)果表明,,根據(jù)上述原則選擇的表面的θPPLU明顯低于通常使用的不銹鋼表面或銅表面,因而本文所提出的θPPLU較低的表面的選擇原則是有效的,。
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