UV-B型紫外輻照計(jì)執(zhí)行企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q/HDSDY0003－2014,。采用SMT貼片技術(shù),，選用高精度低功耗數(shù)字芯片，儀器外殼為流線型設(shè)計(jì),，探測(cè)器經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的光譜及角度特性校正,，性能穩(wěn)定，適用性強(qiáng),。適用于光化學(xué),、高分子材料老化、紫外光源、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測(cè)量工作,。

一,、產(chǎn)品說(shuō)明：

我廠生產(chǎn)的UV-B型紫外輻照計(jì)執(zhí)行企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q/HDSDY0003－2014。采用SMT貼片技術(shù),，選用高精度低功耗數(shù)字芯片,，儀器外殼為流線型設(shè)計(jì)，探測(cè)器經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的光譜及角度特性校正,，性能穩(wěn)定,，適用性強(qiáng)。適用于光化學(xué),、高分子材料老化,、紫外光源、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測(cè)量工作,。

二,、技術(shù)參數(shù)：

1、輻照度測(cè)量范圍：(0.1～199.9×103) μW/cm2

2,、相對(duì)示值誤差：±8％（相對(duì)于NIM標(biāo)準(zhǔn)）

3,、波長(zhǎng)范圍λ1，峰值波長(zhǎng)λp ：（230～275）nm,，λP＝254nm

4,、波長(zhǎng)范圍λ2，峰值波長(zhǎng)λp ：（275～330）nm,，λP＝297nm

5,、紫外帶外區(qū)雜光：UV254<0.1%，UV297<0.05%    

6,、角度響應(yīng)特性：±5% （α≤10°）  

7,、線性誤差：±1%  

8、換檔誤差：±1%  

9,、短期不穩(wěn)定性：±1%（開(kāi)機(jī)30min后）  

10,、疲勞特性：衰減量<2%  

11,、零值誤差：滿量程的±1%  

12、響應(yīng)時(shí)間：<1秒  

13、使用環(huán)境：溫度(0~40)℃,；濕度＜85％RH  

14,、尺寸和重量：160×78×43mm,；0.2kg  

15,、電源：6F22型9V積層電池（非充電電池）  

16、整機(jī)功耗：＜0.1VA