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[供應(yīng)]GDAT-A-玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測試儀
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  • GDAT-A-玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測試儀
貨物所在地:
北京北京市
更新時(shí)間:
2025-03-25 21:00:07
有效期:
2025年3月25日 -- 2025年9月25日
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產(chǎn)品簡介

玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測試儀頻率
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃,、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率,。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,,*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

詳細(xì)介紹

玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測試儀試驗(yàn)報(bào)告

試驗(yàn)報(bào)告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:

絕緣材料的型號名稱及種類,、供貨形式、取樣方法,、試樣的形狀及尺寸和取樣日期(并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況),;

試樣條件處理的方法和處理時(shí)間;

電極裝置類型,,若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型,;

測量儀器;

試驗(yàn)時(shí)的溫度和相對濕度以及試樣的溫度,;

施加的電壓,;

施加的頻率;

相對電容率εr(平均值),;

介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ(平均值),;

試驗(yàn)日期;

相對電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計(jì)算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角,,必要時(shí),,應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。

一,、  概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷,、裝置瓷、電容器等陶瓷,,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),,通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,,為提高材料的性能提供依據(jù),;該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校,、工廠等單位對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究,。

二、  測試原理

采用高頻諧振法,,并提供了,,通用、多用途,、多量程的阻抗測試,。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),,改進(jìn)了調(diào)諧回路,,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),,使得新儀器在使用時(shí)更為方便,,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,,測量高頻電感或諧振回路的Q值,,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等,。

本測試裝置是由二只測微電容器組成,,平板電容器一般用來夾持被測樣品,園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器,,配用儀器作為指示儀器,,絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的,。同時(shí),,由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。

三,、儀器的技術(shù)指標(biāo)

1.Q值測量范圍:2~1023

 

2.Q值量程分檔:30,、100、300,、1000,、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;

3.電感測量范圍:自身殘余電感和測試引線電感的自動(dòng)扣除功能4.5nH-100mH 分別有0.1μH,、0.5μH,、2.5μH、10μH,、50μH,、100μH、1mH,、5mH,、10mH九個(gè)電感組成,。

4.電容直接測量范圍:1~460pF                                                

5.主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF                                            

6.電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%                                                                   7.信號源頻率覆蓋范圍100KHz-70MHz (雙頻對向搜索  確保頻率不被外界干擾)另有GDAT-C 頻率范圍200KHZ-100MHz

8,、型號頻率指示誤差:1*10-6 ±1                                      

Q值合格指示預(yù)置功能范圍:5~1000

Q值自動(dòng)鎖定,,無需人工搜索

9.Q表正常工作條件

a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃

b.相對濕度:<80%;

c.電源:220V±22V,,50Hz±2.5Hz,。

 

1.Q值測量范圍:2~1023

表1  真空電容的計(jì)算和邊緣校正

(1)

極間法向電容

(單位:皮法和厘米)

(2)

邊緣電容的校正

(單位:皮法和厘米)

(3)

1.有保護(hù)環(huán)的圓盤狀電極

2.沒有保護(hù)環(huán)的圓盤狀電極

a)電極直徑=試樣直徑

b)上下電極相等,但比試樣小

其中:ε1 是試樣相對電容率的近似值,,并且a≤h


表1(續(xù))

(1)

極間法向電容

(單位:皮法和厘米)

(2)

邊緣電容的校正

(單位:皮法和厘米)

(3)

c)電極直徑=試樣直徑

其中:ε1 是試樣相對電容率的近似值,,并且a≤h

3.有保護(hù)環(huán)的圓柱形電極

4.沒有保護(hù)環(huán)的圓柱形電極

其中:ε1 是試樣相對電容率的近似值

試樣的相對電容率:

其中:

C'x——電極之間被測的電容;

In——自然對數(shù),;

Ig——常用對數(shù)。

表2 試樣電容的計(jì)算——接觸式測微計(jì)電極

試樣電容

符號定義’

1.并聯(lián)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容

CP——試樣的并聯(lián)電容

△C——取去試樣后,,為恢復(fù)平衡時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容增量

Cr——在距離為r時(shí),,測微計(jì)電極的標(biāo)定電容

Cs——取去試樣后,恢復(fù)平衡,,測微計(jì)電極間距為s時(shí)的標(biāo)定電容Cor,,Coh——測微計(jì)電極之間試樣所占據(jù)的,間距分別為r或h的空氣電容,??捎帽?中的公式1來計(jì)算r——試樣與所加電極的厚度

h——試樣厚度

相對電容率:

CP=△C+Cor

試樣直徑至少比測微計(jì)電極的直徑小2r。在計(jì)算電容率時(shí)必須采用試樣的真實(shí)厚度h和面積A,。

2.取去試樣后減少測微計(jì)電極間的距離來替代試樣電容

CP=Cs-Cr+Cor

試樣直徑至少比測微計(jì)電極的直徑小2r,。在計(jì)算電容率時(shí)必須采用試樣的真實(shí)厚度h和面積A。

3.并聯(lián)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電容器來替代試樣電容

當(dāng)試樣與電極的直徑同樣大小時(shí),,僅存在一個(gè)微小的誤差(因電極邊緣電場畸變引起0.2%?0.5%的誤差),,因而可以避免空氣電容的兩次計(jì)算。

CP=△C+Coh

試樣直徑等于測微計(jì)電極直徑,,施于試樣上的電極的厚度為零,。


表3電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的計(jì)算——不接觸電極

相對電容率

(1)

介質(zhì)損耗因數(shù)

(2)

符號意義

(3)

1.測微計(jì)電極(在空氣中)

若ho 調(diào)到一個(gè)新值h'o,而△C=0時(shí)

tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ

△C——試樣插人時(shí)電容的改變量(電容增加時(shí)為+號)

C1——裝有試樣時(shí)的電容

C1——僅有流體時(shí)的電容,,其值為εr•Co

Co——所考慮的區(qū)域上的真空電容,,其值為εo•A/h0

A——試樣一個(gè)面的面積,用 厘米2表示(試驗(yàn)的面積大于等于電極面積時(shí))

ε1——在試驗(yàn)溫度下的流體相對電容率(對空氣而言εr =1. 00)

ε0——電氣常數(shù)用皮法/厘米表示

△tanδ——試樣插入時(shí),,損耗因數(shù)的增加量

tanδc——裝有試樣時(shí)的損耗因數(shù)

tanδx試樣的損耗因數(shù)的計(jì)算值

d0——內(nèi)電極的外直徑 d1——試樣的內(nèi)直徑 d2試樣的外直徑

d3——外電極的內(nèi)直徑 h0——平行平板間距

h——試樣的平均厚度

M——h0 /h—1

lg――常用對數(shù)

注,;在二流體法的公式中,腳注1和2分別表示種和第二種流體,。

2. 平板電極——流體排出法

tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ

當(dāng)試樣的損耗因數(shù)小于1時(shí),,可以用下列公式:

3. 圓柱形電極——流體排出法(用于tanδ小于0.1時(shí))

4. 二流體法——平板電極(用于tanδx小于0. 1時(shí))

1——測微計(jì)頭,;

6——微調(diào)電容器;

2——連接可調(diào)電極(B)的金屬波紋管,;

7——接檢測器,;

3——放試樣的空間(試樣電容器M1;

8——接到電路上,;

4——固定電極(A),;

9——可調(diào)電極(B)。

5——測微計(jì)頭,;

圖1  用于固體介質(zhì)測量的測微計(jì)——電容器裝置

單位為毫米

1——內(nèi)電極,;

1——把柄;

2——外電極,;

5——棚硅酸鹽或石英墊圈,;

3——保護(hù)環(huán);

6——硼硅酸鹽或石英墊圈,。

圖2  液體測量的三電極試驗(yàn)池示例

注滿試驗(yàn)池所需的液體量大約15mL

1——溫度計(jì)插孔,;

2——絕緣子;

3——過剩液體溢流的兩個(gè)出口,。

圖3  測量液體的兩電極試驗(yàn)池示例

1——溫度計(jì)插孔,;

2——1mm厚的金屬板;

3——石英玻璃,;

4——1mm或2mm的間隙,;

5——溫度計(jì)插孔

玻璃薄膜介電常數(shù)試驗(yàn)測試儀

頻率

因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,,且被用作工程電介質(zhì)材料,,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,,*重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的,。

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