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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
玻璃介電常數(shù)試驗測試儀陶瓷材料的損耗
陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗,、松弛質(zhì)點的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗,。此外，表面氣孔吸附水分,、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會引起較大的損耗,。
在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相,。為了改善某些陶瓷的工藝性能,，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相,，這樣就使損耗增大,。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,，介質(zhì)損耗也增大,。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷,、金紅石等很少含有玻璃相,。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散,，生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等,。
漏導(dǎo)損耗
實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì),，在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流,，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流,，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”,。由于實阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷,，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導(dǎo)損耗,。
介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下,，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗,。也叫介質(zhì)損失,，簡稱介損。在交變電場作用下,，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,。
損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度,，一般情況下都期望耗損因子低些好 ,。
電介質(zhì)在恒定電場作用下,，介質(zhì)損耗的功率為
W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd
定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為
ω=σE2
在交變電場作用下，電位移D與電場強度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量,，此時介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù),，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。
D,，E,，J之間的相位關(guān)系圖
D，E,，J之間的相位關(guān)系圖
如圖所示,，從電路觀點來看，電介質(zhì)中的電流密度為
J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe
式中Jτ與E同相位,。稱為有功電流密度,，導(dǎo)致能量損耗；Je,，相比較E超前90°,，稱為無功電流密度。
定義
tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ
式中,，δ稱為損耗角,，tanδ稱為損耗角正切值。
損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時的重要評價參數(shù),。為了減少介質(zhì)損耗，希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切,。損耗因素的倒數(shù)Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素,，希望它的值要高。
主要特點：
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測,。
印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。
玻璃介電常數(shù)試驗測試儀使用方法
高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器,，為了提高測量精度,，除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外,，還要掌握正確的測試方法和殘余參數(shù)修正方法,。
1．測試注意事項
a．本儀器應(yīng)水平安放；
b．如果你需要較地測量,，請接通電源后,，預(yù)熱30分鐘；
c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時,，當(dāng)接近諧振點時請緩調(diào),；
d．被測件和測試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,，足夠粗，并應(yīng)接觸良好,、可靠,，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差；
e．被測件不要直接擱在面板頂部,，離頂部一公分以上,，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；
f．手不得靠近試件,，以免人體感應(yīng)影響造成測量誤差,，有屏蔽的試件，屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱,。
2．高頻線圈的Q值測量（基本測量法）
高分子材料的損耗
高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類,。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物,；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物,。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2,，介質(zhì)損耗小于10-4,；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大,，這兩個值愈高,。
高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向，因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降,。酚醛樹脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強,，但只要固化比較*,，它的介質(zhì)損耗就不高。相反,，支化使分子鏈間作用力減弱,，分子鏈活動能力增強，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大,。
高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對介電性景響也很大,。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降,。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時,，鏈段上的偶極的極化有時*被抑制，介電性能可降至 低值,，同樣的道理,，非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗,。此外，高聚物中的增塑利,、雜質(zhì)等對介電性能也有很大景響,。
A/C高頻Q表能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值,，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗,，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關(guān),、學(xué)校,、工廠等單位。
滿足標(biāo)準(zhǔn)：
GBT1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
技術(shù)參數(shù)：
1．Q值測量
a．Q值測量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30,、100,、300、1000,、自動換檔或手動換檔,。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：
固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%
工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%
2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH
3．電容測量：1~205
主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF
準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%
注：大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明
4. 信號源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,
CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,
5．Q合格指示預(yù)置功能: 預(yù)置范圍：5～1000,。
6．B-測試儀正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃,；
b．相對濕度：<80％；
c．電源：220V±22V,，50Hz±2.5Hz,。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg,；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280,。
高頻/音頻介電常數(shù)測試儀GDAT-A測試注意事項
a．本儀器應(yīng)水平安放；
b．如果你需要較地測量,，請接通電源后,，預(yù)熱30分鐘；
c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時,，當(dāng)接近諧振點時請緩調(diào),；
d．被測件和測試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短，足夠粗,，并應(yīng)接觸良好,、可靠,，以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差；
e．被測件不要直接擱在面板頂部,，離頂部一公分以上,，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；
f．手不得靠近試件,，以免人體感應(yīng)影響造成測量誤差,，有屏蔽的試件，屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱,。
試驗報告
試驗報告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:
絕緣材料的型號名稱及種類,、供貨形式、取樣方法,、試樣的形狀及尺寸和取樣 日期(并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況);
試樣條件處理的方法和處理時間;
電極裝置類型,，若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型;
測量儀器;
試驗時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度;
施加的電壓;
施加的頻率;
相對電容率ε(平均值);
介質(zhì)損耗因數(shù) tans(平均值);
試驗 日期 ;
相對電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時,，應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系,。
特點：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q,，使tanδ分辨率至0.00005 ,。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小,。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率,，調(diào)諧狀態(tài)等,。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號,。獨立信號 源輸出口,，所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求,。
介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),，在其內(nèi)部引起的能量損耗,。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損,。在交變電場作用下,，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。
損耗因子也指耗損正切,，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度,，一般情況下都期望耗損因子低些好
概念：
電介質(zhì)在外電場作用下,，其內(nèi)部會有發(fā)熱現(xiàn)象，這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉,，電介質(zhì)在電場作用下,，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率，或簡稱介質(zhì)損耗（diclectric loss）,。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一,。介質(zhì)損耗不但消耗了電能，而且使元件發(fā)熱影響其正常工作,。如果介電損耗較大,，甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講,，介質(zhì)損耗越小越好,。
