陶瓷片介電常數(shù)介損測試儀標準電容器

概述：在每個高壓實驗室和試驗中，壓縮氣體標準電容器是一種必要的儀器,。在這些場合中，它有許多重要的作用,。在電橋電路中壓縮氣體電容器被用來測量電容器,、電纜、套管,、絕緣子,、變壓器繞組及絕緣材料的電容和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。而且,，還可以用作高壓測量電容分壓裝置的高壓電容,。在某些條件下，還可以在局部放電測量中作高壓耦合電容器,、

特點：

電容極穩(wěn)定,。

氣壓和溫度的變化對電容的影響可以忽略。

介質(zhì)損耗極小

結(jié)構(gòu)簡介：

外殼由絕緣套筒及鋼板制成的底和蓋組成,，底和蓋用螺栓及環(huán)緊固在絕緣套筒的兩端。在電容器的上下兩端有防暈罩,。電容器外殼內(nèi)裝有同軸高度拋光的圓柱形高低壓電極,。電容器設(shè)有壓力表及氣閥，供觀察內(nèi)部壓力及充放氣使用

技術(shù)參數(shù)：

1. 電容器安裝運行海拔不超過1000米,，使用周圍空氣溫度-10℃~40℃,，相對濕度不超過70%。

2. 電容器的工作頻率為100Hz,。

3. 電容器實測值不大于±0.05%,，與標稱值不大于±3%

4. 電容器溫度系數(shù) ≤ 3×10-5 /℃

5. 電容器壓力系數(shù) ≤ 3×10-3Mpa

6. 電容器的損耗角正切值不大于1×10-5 、2×10-5 ,、5×10-5 三檔,。

電容器內(nèi)充SF6氣體,。在20℃時，壓力為0.4±0.1Mpa

固體絕緣材料測試電極

本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆,、樹脂和膠,、浸漬纖制品、層壓制品,、云母及其制品,、塑料、電纜料,、薄膜復合制品,、陶瓷和 玻璃等的相對介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測試本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ

本電極的設(shè)計主要是參照國標GB1409。

本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu),，能有效的表面漏電流的影響,，使測量電極下的電場趨于均勻電場

主要技術(shù)指標

環(huán)境溫度：20±5℃

相對濕度：65±5%

高低壓電極之間距離：0~5mm可調(diào)

百分表示值：0.01mm(一粒1.5V氧化銀電池供電)

測量極直徑：70±0.1mm

空極tgδ：≤5×10-5

空極電容量：40±1pF

高測試電壓：2000V

實驗頻率：50/100Hz

體積：Ф210mm H180mm

重量：6kg

陶瓷片介電常數(shù)介損測試儀

本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠,、浸漬纖制品,、層壓制品、云母及其制品,、塑料,、電纜料、薄膜復合制品,、陶瓷和 玻璃等的相對介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測試本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ

本電極的設(shè)計主要是參照國標GB1409,。

本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu)，能有效的表面漏電流的影響,，使測量電極下的電場趨于均勻電場

主要技術(shù)指標

環(huán)境溫度：20±5℃

相對濕度：65±5%

高低壓電極之間距離：0~5mm可調(diào)

百分表示值：0.01mm(一粒1.5V氧化銀電池供電)

測量極直徑：70±0.1mm

空極tgδ：≤5×10-5

空極電容量：40±1pF

高測試電壓：2000V

實驗頻率：50/100Hz

體積：Ф210mm H180mm

重量：6kg

高壓電源技術(shù)指標

一,、簡介

高壓電源采用*數(shù)字電路技術(shù)，測試電壓,、漏電流均為數(shù)字顯示,，可以直觀、準確,、快速,、

安全的輸出高壓。

技術(shù)規(guī)格

1.輸出電壓(交流）0～10kV（±3%±3個字.a型為0～5KV）

2.漏電流(交流）MAX  20mA（±3%±3個字,可調(diào)）

3.變壓器容量：1000VA

4.輸出波形：100Hz正弦波

5.工作電壓：AC220V±10%

6.使用環(huán)境：

環(huán)境溫度：0～40℃

相對濕度：（20～90）%消

7.耗功率：大75VA

8.外形尺寸：320mm（寬）×170mm（高）×245mm（深）

9.重量：10KgGB/T5597-1999

前

言

本標準是對GB/T 5597一1985《固體電介質(zhì)徼波復介電常數(shù)的測試方法》的修訂,。

本標準對原標準GB/T 5597--1985做了如下修訂:

信號源由掃頻信號源改為頻綜信號源,使測試系統(tǒng)大為簡化;由于改窄帶反射速調(diào)管掃頻工作點,，

指示器用4六位普通數(shù)字電壓表代替原采用的雙綜示波器;測試誤差分析由原來采用各誤差源的“貢

獻"絕對值求和改為方和根的誤差綜合,因而測試誤差大幅下降,△t’/e'由原來的1.5%降至1.0%，

△tan8,。由原來15%tan8,+1.0x10‘降至3%tan?,+3.0X10-“;并將 tanò,的測試范圍下限由2X10-

改為1X10-.

本標準自實施之日起同時代替GB/T 5597-1985,。

本標準的附錄A、附錄B,、附錄C都是提示的附錄,。

本標準由中華人民共和國電子工業(yè)部提出,。

本標準由電子工業(yè)部標準化研究所歸口，

本標準起草單位:中國電子技術(shù)標準化研究所,、電子科技大學,，

本標準主要起草人:張其劭、王玉功,、李曉英,。中華人民共和國國家標準

固體電介質(zhì)微波復介電常數(shù)的

GB/T 5597-1999

測試方法

代替GB/T5597-1985

Test method for complex permittivity of solid

dielectrie materials at microwave frequencies

1范圍

本標準規(guī)定了均勻的,各向同性的固體電介質(zhì)材料微波復介電常數(shù)的測試方法。

本標準適用于頻率范圍為2GHz~18GHz內(nèi)復介電常數(shù)的測定,。推薦測試頻率為9.5GHz,，其測

定范圍:相對介電常數(shù)實部e'為2~20,介質(zhì)電損耗角正切tan8,為1X10‘~5x10.

2定義

復數(shù)介電常數(shù)e為:

E=E*E,=€(d’-j°)

... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ..*(1)

式中:“一復數(shù)相對介電常數(shù);

“一真空介電常數(shù),其值為8.854X10F/m,

本標準所述及的復數(shù)介電常數(shù)實際上均指相對介電常數(shù),并以相對介電常數(shù)的實部e'和介電損耗

角正切tan?,-e"/e’ 表征之

3測試原理

在一確定頻率下圓柱型TE模式高品質(zhì)因數(shù)測試腔的諧振長度為1..固有品質(zhì)因數(shù)為Q,如圖1

(a)所示。當此測試腔中放入厚度為d的盤狀試樣后,如圖1(b)所示,將發(fā)生兩方面的變化:(1)由于介

質(zhì)試樣的介電常數(shù)e大于1,因此填充有試樣介質(zhì)的那段波導的相位常數(shù)將增大,在原頻率上產(chǎn)生諧振

的腔體長度將縮短為1;(2)由于介質(zhì)試樣將引入附加的介質(zhì)損耗,導致測試腔的固有品質(zhì)因數(shù)下降為

Q6試樣尺寸及要求

6.1 樣品直徑 D.

D,= (2R - 8) ±0.1mm

.....* ..*.…...****…*.*******---(2)

式中:R一一測試腔半徑,mm;

8--與測試腔尺寸有關(guān)的量,在推薦測試頻率的試腔中,建議定為1.5 mm,。

6.2 樣品厚度d

選擇試樣厚度d的原則是取其電長度在85*左右,以提高測試靈敏度并降低測試誤差,在待測材料

的介電常數(shù)e大致已知的情況下,可按下式計算樣品厚度,。

d ≡ 0.236[(s?)’門*……………………(3)

式中:f.一測試頻率,亦即測試腔的諧振頻率,GHz;

R一--測試腔半徑,mm;

d--樣品厚度,mm。

樣品厚度的選擇見附錄B(提示的附錄),。

6.3樣品要求

盤狀樣品兩主平面的不平行度不大于0.01mm,兩主平面的不平直度不大于0.01mm,。

樣品表面應無不正常的斑點和劃痕,內(nèi)部無不正常的雜質(zhì)和氣孔;在測試前需嚴格清潔和干燥處

理。

7測試程序

7.1空測試腔的測量

7.1.1 開機預熱15min,使系統(tǒng)正常工作,。

7.1.2置信號源輸出連續(xù)波頻率在測試頻率f,。上,調(diào)節(jié)精密刻度衰減器在9.0 dB~9.8dB范圍內(nèi)，

調(diào)節(jié)信號源的輸出電平,使晶體檢波器輸出在數(shù)字式電壓表上讀得10mV左右的指示數(shù)a,。,記錄此時

精密刻度衰減器的衰減量A:.

7.1.3調(diào)節(jié)介質(zhì)測試腔,由數(shù)字式電壓表指示跌到點來確定測試腔已調(diào)到諧振點,諧振點頻率為

fo,記錄介質(zhì)測試腔的活塞位置刻度1,。和諧振頻率f。,此時數(shù)字式電壓表上的讀數(shù)為a..

7.1.4調(diào)節(jié)精密刻度衰減器(減少衰減量),使數(shù)字式電壓表上的讀數(shù)自a,上升恢復到a,。,記錄此時精

密刻度衰減器的衰減量A:,則介質(zhì)測試腔在諧振點引入的衰減為A=A,一A:,以分貝計,。

測試誤差及樣品厚度選擇

B1計算過程說明

對于給定的測試腔,模式號數(shù)n和腔體半徑R為已知,測得樣品厚度d,測試腔諧振頻率f活塞位

移量S后就可聯(lián)解方程(5)、(6),、(7),(8)而得介電常數(shù)e,。然而,方程(7)是一超越方程,解之較費時間，

因此,需要做一些具體的處理,。

如果樣品厚度d已知,由方程(5)和(7)可知:

S=f(i')….………………………(B1)

由e'求S這樣的反問題,方程(7)變?yōu)橐粋€簡單的三角方程,。

對于待測的樣品,往往只能知道的大致范圍,也就不能根據(jù)方程(3)來精確設(shè)計樣品厚度d?；?/span>

此原因,同時為了計算簡捷起見,可以將介電常數(shù)e'的測量范圍分為若干小段,每一小段取的中間值

由方程(3)來計算樣品厚度d。對于確定的測試腔(R,f,。確定)可以得d的具體值,。例如,對于某一TE.

測試腔有:

2R=51.4 mm,/.= 9.5 GHz

可得:

2.0~2.5

2.5~3.0

3.0~3.5

3.5~4.0

4.0~5.0

5.0~6.0

d

mm

5.80

5.10

4.60

4.20

3.80

3.38

6.0~7.5

7.5~9.0

9.0~11.0

11.0~13.5

13.5~17.0

17.0~22.0

d

mm

3.00

2.70

2.44

2.26

1.96

1.73

進而可以按方程(B1)的形式,事先計算出:

e'=f(S)

………*******(B2)

的數(shù)據(jù)表,以備測試計算時查用。

同樣,由方程(10),(11),(12),、(13),可以計算:

p=f(S)

L=f(S)

L,=f(S)

式中:△/,。一諧振頻率測試誤差;

△R一測試腔半徑的加工精度;

△s:一-測量S時因腔體的測微頭精度而引入的誤差;

△f'.一放入介質(zhì)前后兩次測試時,測試腔調(diào)諧的偏差,。它由實驗統(tǒng)計測定;

Ad一介質(zhì)試樣厚度的測量誤差;

△(△f).一試樣裝入測試腔后,測量測試腔的“半功率"點頻寬的誤差。由實驗統(tǒng)計確定;

△(△f).一測量未裝試樣的測試腔的“半功率"點頻寬的誤差,由實驗統(tǒng)計確定:

△A一一測量衰減量A,，因衰減器精度而引入的誤差;

△A測試腔中裝人試樣后,測量衰減量A:因衰減器精度而引入的誤差:

△A一測試腔中未裝試樣時,測量衰減量A:因衰減器精度而引入的誤差;

為了達到: