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一、概述

IRE-200膜厚測(cè)試儀是一款超高精度的外延層厚度測(cè)量設(shè)備,，利用紅外光譜經(jīng)傅里葉變換進(jìn)行快速分析,，主要應(yīng)用于Si、GaAs,、InP,、SiC、GaN等各類外延片的外延層厚度測(cè)量,。

單拋/雙拋等多種模式選擇支持,；

自定義mapping功能；

高檢測(cè)速率：Si標(biāo)準(zhǔn)外延片測(cè)量25點(diǎn)≤3min,；

高檢測(cè)精度：≤0.01um,。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1,、IRE-200膜厚測(cè)試儀采用高性能光源模塊,，光源穩(wěn)定性好,，信噪比高，覆蓋范圍7800-350cm-1,。

3,、搭配自主研發(fā)的mapping運(yùn)動(dòng)臺(tái)，定位精準(zhǔn),、測(cè)量速度快,。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

IRE-200廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中Si,、SiC,、GaAs、InP,、GaN等基底材料上外延層厚度的量測(cè),。

SiC EPI量測(cè)案例