我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測器,,A 系列具有高能量分辨率,、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,,如氡釷分析儀等,,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞,、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,,作為放射性強度測量的探測器。
型號 | 工作電壓 | 對比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 (Am-241 面源) 真空下測量能量分 辯率1.2% | 對比ORTEC U-016-300-100 型 探測器 (Am-241 面源) 真空下測量峰道址 202 |
A-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
A-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
B-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
B-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |