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日本西村陶業(yè)ALN /氧化鋁陶瓷虛擬晶片介紹

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日本西村陶業(yè)ALN /氧化鋁陶瓷虛擬晶片介紹

我們制造和銷售高純度ALN(無助劑)和高純度氧化鋁假晶片,。

尺寸:多12英寸

半導體陶瓷/液晶制造設備/太陽能

半導體陶瓷產品/液晶制造設備/太陽能

半導體制造設備具有很高的剛性,,加工精度,抗震性,,耐熱性,,導熱性,表面處理精度,,金屬污染,,耐化學藥品性,耐氣體性,,耐等離子性,,絕緣性,介電常數(shù)和介電常數(shù),。需要體積電阻率,,低粉塵產生(顆粒)和成本。
Nishimura Suegyo高純氧化鋁作為陶瓷可以滿足上述特性(Al 2 O 3 99.7%或更高,,Al 2 O 3 99.9%或更高),,氮化鋁(ALN),,氧化釔(Y 2 0 3和提倡者) )。

由于其特性,,高純度氧化鋁可用于運輸臂,,晶圓臺,RF高頻傳輸窗口等,。它還具有出色的金屬化功能,。
氮化鋁具有優(yōu)異的導熱性,散熱性,,耐熱沖擊性和電絕緣性,,并且具有熱膨脹系數(shù)接近硅晶片的熱膨脹系數(shù)的特性。
氧化釔是具有優(yōu)異的耐等離子體性的材料,。

 

虛擬晶片(ALN /氧化鋁陶瓷)

虛擬晶片(ALN /氧化鋁陶瓷)
 

氧化鋯φ0.1小孔管

氧化鋯擠壓產品我通過擠壓氧化鋯制成了煙斗,。中心有φ0.1孔的管道。

 

耐等離子化學氣相沉積材料N-999S

耐等離子化學氣相沉積材料N-999S由高純度的99.9%氧化鋁(N-999S)材料制成,,可抵抗半導體制造設備的等離子磨損,。

 

氧化鋁N-999S管

氧化鋁N-999S管我們用99.9%的氧化鋁(N-999S)制成了幾乎沒有彎曲的管子(尺寸:φ10+ 0 / -0.05 xφ8+ 0.1 / 0 x 350L)。
將其成型并以0.2mm或更小的翹曲烘烤,,而無需拋光內徑,。                       

 

校正環(huán)(校正板環(huán))

1402a1校正環(huán)(校正板環(huán))這是Kenma板的面板校正環(huán)。由99.7%的氧化鋁制成我們可以根據您的要求制造尺寸,,形狀和精度,。

 

耐等離子陶瓷U形管

耐等離子陶瓷U形管由99.7%的氧化鋁制成的U形管用作半導體制造設備中的等離子體保護管。

 

耐等離子防護罩

半透明氧化鋁N-9000NS西村陶瓷的半透明氧化鋁N-9000NS用作半導體制造設備的耐等離子保護蓋,。

 

耐等離子彎頭

121120b12分割彎頭,,由高純度氧化鋁制成,具有耐等離子性,。

它具有可以組裝的形狀。

 

由高純度氧化鋁N-99(氧化鋁99.7%或更高)制成,,用于半導體制造設備

由高純度氧化鋁N-99(氧化鋁99.5%或更高)制成,,用于半導體制造設備由高純度氧化鋁N-99(氧化鋁99.7%或更高)制成的產品用作半導體制造設備的零件。

 

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