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半導(dǎo)體制造車間對溫濕度的控制及露點設(shè)備推薦
閱讀：911 發(fā)布時間：2023-10-21半導(dǎo)體制造車間對溫濕度的控制及露點設(shè)備推薦
在半導(dǎo)體制造中,，水一直是影響較大的污染物之一,，統(tǒng)計顯示，不符合工況要求的水分造成的損失占損失的 25%,。為避免產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量出現(xiàn)問題,，在半導(dǎo)體制造過程中必須尤為謹(jǐn)慎地監(jiān)測濕度和溫度水平。如濕度是硅晶圓生產(chǎn)過程中關(guān)鍵的因素,，如果空氣太干燥,，靜電就會成為問題。
半導(dǎo)體,、微電路和微芯片制造需要在制造/加工區(qū)域保持非常精確的條件,。用于半導(dǎo)體組裝或加工的元件通常具有吸濕性，因此極易受到高濕度條件的影響,。
吸濕成分可以導(dǎo)致：
電路點腐蝕
半導(dǎo)體組裝的操作故障
光刻膠附著力不當(dāng)
微芯片電路表面結(jié)露,。
組裝領(lǐng)域：在半導(dǎo)體和集成電路的生產(chǎn)過程中，過多的水分會對鍵合過程產(chǎn)生不利影響并增加缺陷,。稱為光致抗蝕劑的光敏聚合物化合物用于掩蓋蝕刻過程中的電路線,。由于它們的吸濕性，它們會吸收水分，導(dǎo)致微觀電路線被切斷或橋接,，從而導(dǎo)致電路故障,。
晶圓制造區(qū)域：在晶圓制造過程中，旋轉(zhuǎn)器將顯影劑噴射到晶圓表面,，使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā),，從而冷卻晶圓表面。這導(dǎo)致空氣中的水蒸氣凝結(jié)在晶片表面上,。晶圓上多余的水會導(dǎo)致顯影劑的特性發(fā)生變化,。抗蝕劑還會吸收水分,，導(dǎo)致聚合物膨脹,。將相對濕度控制在 30% 可以消除將晶圓表面冷卻至晶圓表面周圍空氣露點以下的可能性，從而防止故障和損壞,。
光刻室：光刻室的條件需要保持在 20% 至 35% RH 之間,，溫度約為 700°F。過多的水分會導(dǎo)致二氧化硅吸收水分,，導(dǎo)致光刻膠粘附不當(dāng),，從而導(dǎo)致應(yīng)力斷裂和表面缺陷。
真空抽氣速度更快：如果濕度較高,，低溫泵等真空設(shè)備的運(yùn)行會因水蒸氣負(fù)荷較大而減慢,。如果 RH 水平能夠維持在 30-35% 左右，則可大大降低,，從而提高批處理速度,。。
TK-100 在線露點儀的傳感器,，采用的是 靜電容量式原理,。
當(dāng)水分子被夾在兩個導(dǎo)電層之間的多孔絕緣層 吸收時，上導(dǎo)電層與下導(dǎo)電層之間的電容將會 產(chǎn)生變化,。
該電容量通過傳感器內(nèi)部電路被線性的轉(zhuǎn)換為露點 的模擬信號,。 吸濕水分的絕緣層厚度為 0.5 μm 以下，上層導(dǎo)電金屬層厚度為 0.1 μm 以下,，即使少量 水分的吸附也可迅速反應(yīng),。
擁有如此薄度的同時，傳感器仍保持優(yōu)秀的強(qiáng)韌及耐久性,。
■ 靜電容式露點儀
■ 測量范圍：-100~20℃dp
■ 精度：±2℃dp
■ 短交貨期
采用先進(jìn)的傳感器技術(shù)
應(yīng)用：半導(dǎo)體,、液晶,、電池、電子行業(yè)