ESD：Electrostatic Discharge,，即是靜電放電，每個(gè)從事硬件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的工程師都必須掌握ESD的相關(guān)知識,。為了定量表征ESD特性,，一般將ESD轉(zhuǎn)化成模型表達(dá)方式，ESD的模型有很多種,，下面介紹常用的三種：

1．HBM：Human Body Model,，人體模型：(1500Ω±10％ / 100PF±10％)    該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻,，Cb為等效人體電容,。等效電路如下圖。圖中同時(shí)給出了器件HBM模型的ESD等級,。


2．MM：Machine Model,，機(jī)器模型：(0Ω±10％ / 200PF±10％)    機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容（Cb）是200pF,，等效電阻為0,，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲電電容變化較大,，但為了描述的統(tǒng)一,，取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒有電阻,，且儲電電容大于人體模式,，同等電壓對器件的損害,，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。


3．CDM：Charged Device Model,，充電器件模型：
    半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式（金屬,、陶瓷、塑料）,。它們在裝配,、傳遞、試驗(yàn),、測試,、運(yùn)輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料（如包裝用的塑料袋,、傳遞用的塑料容器等）相互磨擦,，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷,。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時(shí),，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的，器件帶電模型如下：

    

器件的ESD等級一般按以上三種模型測試,，大部分ESD敏感器件手冊上都有器件的ESD數(shù)據(jù),，一般給出的是HBM和MM。
    通過器件的ESD數(shù)據(jù)可以了解器件的ESD特性,，但要注意,，器件的每個(gè)管腳的ESD特性差異較大，某些管腳的ESD電壓會特別低,，一般來說,，高速端口，高阻輸入端口,，模擬端口ESD電壓會比較低,。
ESD防護(hù)是一項(xiàng)系統(tǒng)工程，需要各個(gè)環(huán)節(jié)的控制,。下圖是一個(gè)ESD防護(hù)的流程圖：

 ESD防護(hù)設(shè)計(jì)可分為單板防護(hù)設(shè)計(jì),、系統(tǒng)防護(hù)設(shè)計(jì)、加工環(huán)境設(shè)計(jì)和應(yīng)用環(huán)境防護(hù)設(shè)計(jì),，單板防護(hù)設(shè)計(jì)可以提高單板ESD水平,，降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度和系統(tǒng)組裝的靜電防護(hù)要求。當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)還不能滿足要求時(shí),，需要進(jìn)行應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)防護(hù)設(shè)計(jì),。ESD敏感器件在裝聯(lián)和整機(jī)組裝時(shí)，環(huán)境的ESD直接加載到器件,，所以加工環(huán)境的ESD防護(hù)是至關(guān)重要的,。
    一般整機(jī),、單板,、接口的接觸放電應(yīng)達(dá)到±2000V（HBM）以上的防護(hù)要求,。器件的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)是在器件不能滿足ESD環(huán)境要求的情況下，通過衰減加到器件上的ESD能量達(dá)到保護(hù)器件的目的,。ESD是電荷放電,，具有電壓高，持續(xù)時(shí)間短的特點(diǎn),，根據(jù)這些特點(diǎn),，ESD能量衰減可通過電壓限制、電流限制,、高通濾波,、帶通濾波等方式實(shí)現(xiàn)，所以防護(hù)電路的形式多種多樣,。