價(jià)格區(qū)間 |
1-1萬(wàn) |
應(yīng)用領(lǐng)域 |
綜合 |
探測(cè)器面積 |
0.20 mm2 |
封裝 |
扁平 TO18 |
光譜響應(yīng)度 |
280nm |
工作溫度 |
-55+170℃ |
反向電壓 |
20V |
德國(guó)Sglux光電二極管紫外線(xiàn)寬帶
SG01M-18S 系列
紫外線(xiàn)寬帶 (UVA+UVB+UVC)
0.20 mm² 探測(cè)器面積
扁平 TO18 封裝,密封,,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳
在 280 nm(峰值靈敏度)下進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流
具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))
德國(guó)Sglux光電二極管紫外線(xiàn)寬帶
0.06 mm2 至 36 mm2 的有源表面和用于定位的象限光電二極管
紫外線(xiàn)寬帶靈敏度或可選濾光片,,用于 UVA,、UVB,、UVC 或 UV 指數(shù)
各種入口窗口和外殼設(shè)計(jì)(TO 或 SMD)
自 2009 年以來(lái)自有 SiC 芯片生產(chǎn)
也可提供 VUV 靈敏度
德國(guó)Sglux光電二極管紫外線(xiàn)寬帶
光電二極管是密封的,,因此是壓密的,。但是,,后觸針不得與水或濕氣接觸。這會(huì)影響光電二極管的輸出電流,。
芯片的有效面積決定了光電探測(cè)器可以捕獲多少個(gè)光子,。半導(dǎo)體探測(cè)器,如 SiC-UV 光電二極管,,將光子轉(zhuǎn)換為電流,,即光電流 I。該光電流隨芯片的輻照度和有效面積線(xiàn)性增加,。由于探測(cè)器的價(jià)格隨著有效面積的增加而增加,,因此面積的選擇本質(zhì)上是成本和光電流之間的權(quán)衡。 如果您知道要使用 UV 光電二極管測(cè)量的最小和最大輻照度,,則可以使用以下簡(jiǎn)化公式來(lái)粗略估計(jì)給定有源芯片面積 AChip 的光電流 I,。 I=Achip *Eλ *1000,其中 I 是光電流,,單位為 nA,,A 是有效芯片面積,單位為 mm2(輸入值 0.06 或 0.2 或 0.5 或 1.82,或 7.6 或 36),,Eλ 是要測(cè)量的紫外光源的光譜輻照度,,單位為 mW/cm2。最小光電流(待測(cè)min輻照度下的光電二極管輸出)應(yīng)不小于 500pA,。如果您不熟悉 Eλ,,第一步是使用 L 芯片光電二極管 (1.00 mm2)。