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產(chǎn)品簡介
美國世偉洛克ALD原子沉積隔膜閥 原子層沉積（Atomic layer deposition）是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法,。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的,，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
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美國世偉洛克ALD原子沉積隔膜閥
原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法,。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處,。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的,，這種方式使每次反應只沉積一層原子,。
美國世偉洛克ALD原子沉積隔膜閥 單原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）,，又稱原子層沉積或原子層外延（atomic layer epitaxy） ,，初是由芬蘭科學家提出并用于多晶熒光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3絕緣膜的研制，這些材料是用于平板顯示器,。由于這一工藝涉及復雜的表面化學過程和低的沉積速度,，直上世紀80年代中后期該技術并沒有取得實質性的突破。但是到了20世紀90年代中期,，人們對這一技術的興趣在不斷加強,，這主要是由于微電子和深亞微米芯片技術的發(fā)展要求器件和材料的尺寸不斷降低，而器件中的高寬比不斷增加,，這樣所使用材料的厚度降低值幾個納米數(shù)量級 [5-6],。因此原子層沉積技術的優(yōu)勢就體現(xiàn)出來，如單原子層逐次沉積,，沉積層極均勻的厚度和優(yōu)異的一致性等就體現(xiàn)出來,，而沉積速度慢的問題就不重要了,。以下主要討論原子層沉積原理和化學，原子層沉積與其他相關技術的比較,，原子層沉積設備,，原子層沉積的應用和原子層沉積技術的發(fā)展。