半導體SiC動態(tài)參數(shù)測試儀

技術指標

1.小電流i-v ： 超低漏電流（fA），最 大電壓200V，最大電流1A； 2.高電壓I-V ： 最大電壓1000V 3.通用I-V ： 適合于大多數(shù)參數(shù)測試 4.c-v單元： 能夠在1MHz下測量10pF電 容,，準確度達1%,。

主要功能

自動完成多路硅微條探測器中多條探測單元的I-V特性、C-V特性,、擊穿特性等參數(shù)測量,，無需人工一點一點的測量。其主要任務是快速高效地甄別多路硅微條探測性能,，從而優(yōu)化工藝,，提高探測器性能，更好的服務于核物理實驗,。

包括：

半導體二極管：鍺二極管,、硅二極管、化合物二極管等,；

半導體三極管：鍺三極管,、硅三極管、化合物三極管等,；

特種器件及傳感器,；

敏感器件：壓力敏感器件、磁敏器件（含霍爾器件及霍爾電路）,、氣敏器件、濕敏器件,、離子敏感器件,、聲敏感器件、射線敏感器件,、生物敏感器件,、靜電感器件等；

裝好的壓電晶體類似半導體器件,；

半導體器件專用零件,。

半導體SiC動態(tài)參數(shù)測試儀

武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā)，以力學試驗機儀器為主,，同時銷售各種,、中低端分析儀器。現(xiàn)有員工60多人,，公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗軟件,，并采用全數(shù)字化，操作簡捷,，*符合GB,、ISO、JIS,、ASTM,、DIN等標準,、國家標準、行業(yè)標準的要求,，公司亦通過了ISO9001質(zhì)量體系認證和國家計量體系認證,，榮獲了“武漢市第九界消費者滿意單位"的稱號。