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武漢賽斯特精密儀器有限公司
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當前位置:武漢賽斯特精密儀器有限公司>>靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)>> 碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試臺

碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試臺

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

更新時間:2021-09-07 15:23:42瀏覽次數(shù):196次

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應用領(lǐng)域 化工,電子/電池
碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試臺 單管及模塊,、整流橋,、可控硅、光耦,、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測試,。

碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試臺

功能及主要參數(shù):
  適用碳化硅二極管,、IGBT模塊MOS管等器件的時間參數(shù)測試,。
  主要技術(shù)參數(shù):
  IGBT開關(guān)特性測試
  開關(guān)時間測試條件
  Ic:50A~1000A     Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V  Rg:1R~100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
  負  載:感性負載阻性負載可切換
  電感范圍:100uH,,200uH,,500uH,,1000uH
  電阻范圍:0.5R,、1R、2R,、4R
  IGBT開關(guān)特性測試參數(shù)
  開通延遲td(on): 20nS -10uS     
  上升時間tr:    20nS -10uS
  開通能量Eon:  0.1-1000mJ                
  關(guān)斷延遲時間td(off):20 nS -10uS  
  下降時間 tf: 20nS -10uS                   
  關(guān)斷能量Eoff:0.1-1000mJ
  二極管反向恢復特性測試
  FRD測試條件:正向電流IF:50A~1000A,;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ,;負載:感性負載可選
  電感范圍:100uH,,200uH,500uH,,1000uH
  FRD測試參數(shù)
  反向恢復時間trr:20nS -2uS
  反向恢復電荷Qc:10nC~10uC,;
  反向恢復電流Irm:50A~1000A
  反向恢復損耗Erec:0.1mJ~1000mJ

碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試臺

武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā),以力學試驗機儀器為主,,同時銷售各種,、中低端分析儀器。現(xiàn)有員工60多人,,公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗軟件,,并采用全數(shù)字化,操作簡捷,,*符合GB,、ISO、JIS,、ASTM,、DIN等標準、國家標準,、行業(yè)標準的要求,,公司亦通過了ISO9001質(zhì)量體系認證和國家計量體系認證,榮獲了“武漢市第九界消費者滿意單位"的稱號,。產(chǎn)品廣泛應用于電子,、高校、政府研究機構(gòu),、環(huán)保機構(gòu),、防軍工、航天,、石油化工,、紡織制造、第三方檢測機構(gòu),、家級別研究院,、新能源、集成電路,、芯片,、封裝測試,、半導體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域,、光電材料,、鋰電池、機械生產(chǎn)等領(lǐng)域,。并與武漢理工大學,、華中科技大學等建立了長期合作,每年投入大量研究經(jīng)費,,招攬各方秀的技術(shù)人才加盟突破國內(nèi)技術(shù)壁壘,,不斷攻克新的技術(shù)難題,另外公司還積極拓展海外業(yè)務,,產(chǎn)品遠銷越南,,印度,埃及等國家和地區(qū),。




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