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當前位置:武漢賽斯特精密儀器有限公司>>靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)>> IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
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產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
更新時間:2024-10-10 18:24:08瀏覽次數(shù):268次
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IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)知識介紹:
1,、設(shè)備功能:
適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管,、三極管、MOSFET,、J-FET,、IGBT單管及模塊、整流橋,、可控硅,、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測試,。
2,、運行條件:
溫度:25±5℃
相對濕度:<60%,在或低于30℃
通風條件:設(shè)備四面距離墻面大于5cm
交流電源:220V±10%,,47-63Hz,,良好的測試儀器接地
3、IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可測試器件種類及參數(shù):
二極管:DIODE
測試參數(shù):IR,、BVR,、VF
晶體管:TRANSISTOR(NPN型、PNP型)
測試參數(shù):ICBO,、ICEO,、IEBO、BVCEO,、BVCBO,、BVEBO、hFE,、VCESAT,、VBESAT、VBE(VBEON)
穩(wěn)壓(納)二極管:ZENER
測試參數(shù):IR,、VZ MIN,、VZ MAX、VF
結(jié)型場效應管:J-FET(N-溝/P-溝,,耗盡型/增強型)
測試參數(shù):IGSS,、IDOFF、IDGO,、BVDGO,、BVGSS,、VDSON、VGSON,、IDSS,、IDSON、RDSON,、gFS
MOS 場效應管:POWER MOSFET(N-溝/P-溝)
測試參數(shù):IDSS,、IGSSF、IGSSR,、BVDSS,、VGSTH、VDSON,VF,、IDON,、VGSON、RDSON,、gFS
三端穩(wěn)壓器:REGULATOR(正電壓/負電壓,,固定/可變)
測試參數(shù):VOUT、IIN
光電耦合器:OPTO-COUPLER(NPN型PNP型)
測試參數(shù):ICOFF,、ICBO,、IR、BVCEO,、BVECO,、BVCBO、BVEBO,、CTR,、VCESAT、VSAT,、VF
可控硅整流器(普通晶閘管)SCR
測試參數(shù):IDRM,、IRRM、IGKO,、VDRM,、VRRM、BVGKO,、VTM,、I GT、VGT,、IL、IH
雙向可控硅(雙向晶閘管)TRIAC
測試參數(shù):IDRM IRRM,、IGKO,、VD+,、VD-、BVGKO,、VT+VT-,、I GT1/2/3/4、VGT1/2/3/4,、IL+,、IL-、IH+,、IH-
絕緣柵雙極大功率晶體管:IGBT(NPN型PNP型)
測試參數(shù):ICES,、IGESF、IGESR,、BVCES,、VGETH、VCESAT,、VF
繼電器:RELAY
測試參數(shù):RCOIL,、VOPER、VREL,、RCONT,、OPTIME、RELTIME(需加繼電器適配器)
壓變電阻:VARISTOR
測試參數(shù):ID+ ID-,、VC+ VC-
達林頓陣列:DARLINTON
測式參數(shù):ICBOICEOIEBOBVCEOBVCBOBVEBOhFEVCESATVBESAT,、VBE(VBEON)
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