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德國(guó)siegert wafer晶圓8“/intrinsic
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  • 德國(guó)siegert wafer晶圓8“/intrinsic

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貨物所在地: 遼寧大連市
產(chǎn)地: 德國(guó)
更新時(shí)間: 2024-07-23 16:13:48
期: 2024年7月23日--2025年7月23日
已獲點(diǎn)擊: 34
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

供應(yīng)德國(guó)siegert wafer晶圓,,貨期短,支持選型,,為您提供一對(duì)一解決方案,,在中國(guó)設(shè)有8個(gè)辦事處,,可為您提供售前、售中和售后服務(wù),。

詳細(xì)介紹

供應(yīng)德國(guó)siegert wafer晶圓8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10

—赫爾納貿(mào)易

供應(yīng)德國(guó)siegert wafer晶圓,,貨期短,支持選型,,為您提供一對(duì)一解決方案,,在中國(guó)設(shè)有8個(gè)辦事處,可為您提供售前,、售中和售后服務(wù),。

 

siegert wafer晶圓介紹:

我們?yōu)榇髮W(xué)、研究實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)界提供硅晶圓,。我們的客戶受益于我們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn),。這對(duì)于為相應(yīng)應(yīng)用提供產(chǎn)品至關(guān)重要。

除了之外,,您當(dāng)然還會(huì)在我們的產(chǎn)品組合中找到小批量生產(chǎn)的 熔融石英,、硼浮法和其他玻璃、藍(lán)寶石SOI 晶圓制成的基板,。

得益于我們的大型倉(cāng)庫(kù),,我們可以隨時(shí)快速回復(fù)您的詢問(wèn)。在這里您可以查看我們的庫(kù)存,。除了標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品外,,我們還可以根據(jù)您的要求提供特殊基材。

作為經(jīng)驗(yàn)豐富的硅片供應(yīng)商,,我們幾乎可以為您提供您需要的任何規(guī)格,。在我們這里,您將找到來(lái)自直拉 (CZ) 和浮區(qū) (FZ) 培養(yǎng)工藝的高純度威化餅,。

個(gè)別規(guī)格通常也可以小批量實(shí)施,。我們保證為您提供解決方案——通常甚至有庫(kù)存!即使是單個(gè)晶圓也可以在內(nèi)部潔凈室中分離,。

 

 

siegert wafer晶圓產(chǎn)品分類:

硅晶片

硅錠

玻璃晶圓

SOI晶圓

藍(lán)寶石晶片

掩模坯料

 

 

siegert wafer晶圓應(yīng)用:

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

光伏產(chǎn)業(yè)

電子消費(fèi)產(chǎn)品制造

化學(xué)

實(shí)驗(yàn)室樣品制備

 

siegert wafer晶圓介紹

典型晶圓規(guī)格:

2 英寸(50.8 毫米)
3 英寸(76.2 毫米)
100 毫米
125 毫米
150 毫米
200 毫米
300 毫米

等級(jí)

Prime

Test

Monitor

Dummy

Reclaim

生長(zhǎng)
CZ (直拉法)
FZ-HPS (區(qū)熔法,,超純硅)
FZ-NTD (區(qū)熔法,中子嬗變摻雜)
FZ-GD (區(qū)熔法,,氣體摻雜)

類型/摻雜劑
P/B(硼)
N/Ph(磷)
N/Sb(銻)
N/As(砷)
未摻雜
本征(僅 FZ)

方向
<100>
<111>
<110>

電阻率
0.001 - 50,000 歐姆-厘米

厚度
100 - 8,000 µm

表面處理
單面拋光 (SSP)
雙面拋光 (DSP)
切割
研磨
蝕刻

扁平/凹槽 半
標(biāo)準(zhǔn)
單扁平
Jeida 扁平
凹槽
無(wú)(圓形)

Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10介紹

直徑200mm±0.2mm

材料:硅

生長(zhǎng)方向:FZ

等級(jí):prime

類型/摻雜劑:內(nèi)在/未摻雜

方向:<100> ±0.5°

電阻率:>10,000 Ohm-cm

度:450 ±15 µm

表面光潔度:雙面拋光

1, SEMI-Std.

TTV<10 µm

Bow<40 µm

Warp<40 µm

顆粒≥0.3µm<20

生命周期:>1000µs

包裝:Cassettes

 

 

siegert wafer晶圓主要型號(hào)

Si-Wafer 4P0/1-5/525±20/SSP/TTV<5

Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10

Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/725±15/DSP/TTV<10

 

 


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