說明：

西門子原裝保內(nèi)功率模塊現(xiàn)貨
6SN1123-1AA00-0EA2 
***備件*** SIMODRIVE 611 功率模塊,，1 軸 內(nèi)部散熱 電機額定電流： 進給 = 56A 主軸 = 60A 

參數(shù)：西門子原裝保內(nèi)功率模塊現(xiàn)貨

　功率模塊的封裝外形各式各樣,，新的封裝形式日新月異，一般按管芯或芯片的組裝工藝及安裝固定方法的不同,，主要分為壓接結(jié)構(gòu),、焊接結(jié)構(gòu)、直接敷銅DBC基板結(jié)構(gòu),，所采用的封裝形式多為平面型以及,，存在難以將功率芯片、控制芯片等多個不同工藝芯片平面型安裝在同一基板上的問題,。為開發(fā)高性能的產(chǎn)品,，以混合IC封裝技術(shù)為基礎(chǔ)的多芯片模塊MCM封裝成為目前主流發(fā)展趨勢，即重視工藝技術(shù)研究,，更關(guān)注產(chǎn)品類型開發(fā),，不僅可將幾個各類芯片安裝在同一基板上，而且采用埋置,、有源基板,、疊層、嵌入式封裝,，在三維空間內(nèi)將多個不同工藝的芯片互連,，構(gòu)成完整功能的模塊。

　　壓接式結(jié)構(gòu)延用平板型或螺栓型封裝的管芯壓接互連技術(shù),，點接觸靠內(nèi)外部施加壓力實現(xiàn),，解決熱疲勞穩(wěn)定性問題，可制作大電流,、高集成度的功率模塊,，但對管芯、壓塊,、底板等零部件平整度要求很高,，否則不僅將增大模塊的接觸熱阻，而且會損傷芯片,，嚴重時芯片會撕裂,，結(jié)構(gòu)復雜、成本高、比較笨重,，多用于晶閘管功率模塊,。 焊接結(jié)構(gòu)采用引線鍵合技術(shù)為主導的互連工藝，包括焊料凸點互連,、金屬柱互連平行板方式,、凹陷陣列互連、沉積金屬膜互連等技術(shù),，解決寄生參數(shù),、散熱、可靠性問題,，目前已提出多種實用技術(shù)方案,。例如，合理結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計二次組裝已封裝元器件構(gòu)成模塊,；或者功率電路采用芯片,，控制、驅(qū)動電路采用已封裝器件,，構(gòu)成高性能模塊,；多芯片組件構(gòu)成功率智能模塊。 DBC基板結(jié)構(gòu)便于將微電子控制芯片與高壓大電流執(zhí)行芯片密封在同一模塊之中,，可縮短或減少內(nèi)部引線,，具備更好的熱疲勞穩(wěn)定性和很高的封裝集成度，DBC通道,、整體引腳技術(shù)的應(yīng)用有助于MCM的封裝,，整體引腳無需額外進行引腳焊接，基板上有更大的有效面積,、更高的載流能力,，整體引腳可在基板的所有四邊實現(xiàn)，成為MCM功率半導體器件封裝的重要手段,，并為模塊智能化創(chuàng)造了工藝條件。

　　MCM封裝解決兩種或多種不同工藝所生產(chǎn)的芯片安裝,、大電流布線,、電熱隔離等技術(shù)問題，對生產(chǎn)工藝和設(shè)備的要求很高,。MCM外形有側(cè)向引腳封裝,、向上引腳封裝、向下引腳封裝等方案,。簡而言之,，側(cè)向引腳封裝基本結(jié)構(gòu)為DBC多層架構(gòu)，DBC板帶有通道與整體引腳，可閥框架焊于其上,，引線鍵合后,，焊上金屬蓋完成封裝。向上引腳封裝基本結(jié)構(gòu)也采用多層DBC,，上層DBC邊緣留有開孔,，引腳直接鍵合在下層DBC板上，可閥框架焊于其上,，引線鍵合后,，焊上金屬蓋完成封裝。向下引腳封裝為單層DBC結(jié)構(gòu),，銅引腳通過DBC基板預留通孔,，直接鍵合在上層導體銅箔的背面，可閥框架焊于其上,，引線鍵合,、焊上金屬蓋完成封裝。

　　綜觀功率模塊研發(fā)動態(tài),，早已突破初定義是將兩個或兩個以上的功率半導體芯片(各類晶閘管,、整流二極管、功率復合晶體管,、功率MOSFET,、絕緣柵雙極型晶體管等)，按一定電路互連,，用彈性硅凝膠,、環(huán)氧樹脂等保護材料密封在一個絕緣外殼內(nèi)，并與導熱底板絕緣的概念,，邁向?qū)⑵骷酒c控制,、驅(qū)動、過壓過流及過熱與欠壓保護等電路芯片相結(jié)合,，密封在同*緣外殼內(nèi)的智能化功率模塊時代,。