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西門子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨

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產(chǎn)品型號(hào)6SL3054-0EH01-1BA0CF

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2024-10-08 19:21:21瀏覽次數(shù):738次

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西門子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨
6SL3054-0EH01-1BA0
SINAMICS S120 CF 卡 con 固件 opzione AMPLIAMENTO 性能 COMPRENSIVO DI 許可 (許可證) V4.7

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:西門子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨

6SL3054-0EH01-1BA0

SINAMICS S120 CF 卡 con 固件 opzione AMPLIAMENTO 性能 COMPRENSIVO DI 許可 (許可證) V4.7 

產(chǎn)品圖片:西門子6SL3054-0EH01-1BA0CF卡原裝現(xiàn)貨

產(chǎn)品性能:

無論如何,CF卡還會(huì)繼續(xù)被很多設(shè)備支援,,仍然成為專業(yè)數(shù)碼相機(jī)的主流標(biāo)準(zhǔn),。在2005年出產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)數(shù)碼相機(jī)中,有一定數(shù)量還是支援CF卡,。CF的主要特點(diǎn)仍是以少的價(jià)錢換取大的MB數(shù),,比小型記憶卡有著高容量,CF II能使用MicroDrive,,以及透過轉(zhuǎn)接器使用多種較小記憶卡,。同時(shí), CF卡接口的記憶卡轉(zhuǎn)接器比其他類型的平, 全因它沒有芯片組。

閃存型存儲(chǔ)設(shè)備具有非易失性和固態(tài),,所以它比磁盤驅(qū)動(dòng)器更穩(wěn)固,,耗電量?jī)H相當(dāng)于磁盤驅(qū)動(dòng)器的5%,卻仍然具有較快的傳輸速率(SanDisk Extreme III型CF卡的寫入速度和讀取速度可達(dá)20MB/s)。它們的工作電壓為3.3volts或5volts,,可以在不同的系統(tǒng)間轉(zhuǎn)換,。閃存型CF卡可以適應(yīng)的溫度變化,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的閃存卡可以在-45至85攝氏度的范圍內(nèi)工作,。

4應(yīng)用編輯
CF接口已廣泛用于PDA,、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)和包括臺(tái)式機(jī)在內(nèi)的各種設(shè)備,。

到2005年,,CF卡的容量規(guī)格從小的8MB到大可達(dá)12GB。(這里的1MB=1,000,000byte,,1GB=1000MB)

EP7212是CIRRUS LOGIC公司生產(chǎn)的支持MP3格式的數(shù)字音頻解碼的微處理器,。它采用ARM7TDMI CPU核,時(shí)鐘速率高達(dá)74MHz,;它內(nèi)含DRAM,、FLASH、LCD,、串口和數(shù)字音頻接口。這些特征使得開發(fā)者容易實(shí)現(xiàn)MP3文件的解碼和播放,。本例中利用CF卡存儲(chǔ)MP3,。

(1)CPLD邏輯關(guān)系采用VHDL語言實(shí)現(xiàn)

OE <=NCS3 OR NRD;

WE <=NCS3 OR NWR,;

CE1 <=A0 AND (NOT WORD),;

CE2 <=(NOT A11)AND (NOT WORD);

REG <=A11;

(2)軟件實(shí)現(xiàn)

首先,,配置結(jié)構(gòu)寄存器,,設(shè)為MEMORY模式。然后,,各個(gè)任務(wù)寄存器設(shè)定參數(shù),。后,將命令寫入命令寄存器,,執(zhí)行操作,。下面的代碼段實(shí)現(xiàn)將CF卡一個(gè)扇區(qū)全部寫入0XAAAA。

LDR R0,,=0X30000200,; //結(jié)構(gòu)寄存器地址A11=1

LDR R1,=0,;

STRB R1,,[R0]; //設(shè)置為MEMORY方式

LDR R0,=0X30000800; //初始化地址,,A11=1

LDR R2,,=0X80; //檢測(cè)忙信號(hào)

LDR R3,,=0XAAAA; //測(cè)試數(shù)據(jù)

LDR R1,,=1; //傳輸扇區(qū)數(shù)目,。此處是1個(gè)扇區(qū)大小

STRB R1,,[R0,#2];

LDR R1,=0; //起始扇區(qū)號(hào)

STRB R1,[R0,#3];

LDR R1,=0; //柱面低8位地址

STRB R1,,[R0,#4],;

LDR R1,=0,; //柱面高8位地址

STRB R1,[R0,#5];

LDR R1,=0XE0; //磁道數(shù)

STRB R1,,[R0,#6];

LDR R1,=0X30; //寫扇區(qū)命令

STRB R1[R0,#7];

WAIT

LDRB R1,,[R0,#7]; //讀狀態(tài)信號(hào),,檢測(cè)是否忙。

//若忙,,在此循環(huán)

TST R1,,R2;

BNE WAIT

LDR R4,,=0; //初值

LDR R5,,=0X100; //寫256個(gè)字,,512個(gè)字節(jié),。

WRITE

STR R6,[R0],;

ADD R5,,R5,#1,;

CMP R5,,R4;

BNE WRITE,; //向緩沖寫512個(gè)字節(jié)

由于篇幅有限,,本文僅給出MEMORY模式實(shí)現(xiàn)的方法,其它兩種模式實(shí)現(xiàn)與MEMORY相似,。由于CF卡具有易于攜帶,、兼容性好,、容量大的特點(diǎn),可以預(yù)見,,它必將在更廣闊的領(lǐng)域得到應(yīng)用

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