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產(chǎn)品型號LC1N2510F5N
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地溫州市
更新時間:2024-12-22 21:35:09瀏覽次數(shù):234次
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藍伊電氣主要產(chǎn)品有:ABB,、西門子,、施耐德、瑞士佳樂 上海人民,、TCL羅格朗,,歐姆龍,、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電,、常熟開關(guān)、富士機電等,。堅持“用戶至上,, 優(yōu)質(zhì)服務”的宗旨,追求用戶滿意”的核心理念,。施耐德交流接觸器
施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧,、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動,、靜觸頭在分,、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置,。交流接觸器還有反作用彈簧,、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧,、傳動機構(gòu),、底座及接線柱等輔助部件。
交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,,實現(xiàn)觸頭的接通和分斷的,。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài))。當吸引線圈通電后,,使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力,,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當吸引線圈斷電時,,電磁吸力消失,銜鐵在復開,,使常開觸頭閉合,,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復位,,接觸器處于失電狀態(tài),。
永磁交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理,,用永磁驅(qū)動機構(gòu)取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅(qū)動機構(gòu)而形成的一種微功耗接觸器,。國內(nèi)成熟的產(chǎn)品型號:CJ20J、NSFC1,、NSFC2,、NSFC3,、NSFC4、NSFC5,、NSFC12,、NSFC19、CJ40J,、NSFMR,。
安裝在接觸器聯(lián)動機構(gòu)上極性固定不變的永磁鐵,與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用,,從而達到吸合,、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過與其固化在一起的電子模塊產(chǎn)生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流,,而使其產(chǎn)生不同的極性,。根據(jù)現(xiàn)場需要,用控制電子模塊來控制設定的釋放電壓值,,也可延遲一段時間再發(fā)出反向脈沖電流,,以達到低電壓延時釋放或斷電延時釋放的目的,使其控制的電機免受電網(wǎng)晃電而跳停,,從而保持生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定,。
施耐德接觸器如下:
LC1E120Q5N
LC1E160Q5N
LC1E200Q5N
LC1E250Q5N
LC1E300Q5N
LC1E400Q5N
LC1E500Q5N
LC1E630Q5N
LC1N0901Q5N
LC1N1201Q5N
LC1N1801Q5N
LC1N2501Q5N
LC1N3201Q5N
LC1N3801Q5N
LC1N0910Q5N
LC1N1210Q5N
雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又稱為半導體三極管,它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一起的器件,,有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu),;外部引出三個極:集電極,發(fā)射極和基極,,集電極從集電區(qū)引出,,發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出,基極從基區(qū)引出(基區(qū)在中間),;BJT有放大作用,,重要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸?shù)竭_集電區(qū)而實現(xiàn)的,為了保證這一傳輸過程,,一方面要滿足內(nèi)部條件,,即要求發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,同時基區(qū)厚度要很小,,另一方面要滿足外部條件,,即發(fā)射結(jié)要正向偏置(加正向電壓)、集電結(jié)要反偏置,;BJT種類很多,,按照頻率分,有高頻管,低頻管,,按照功率分,,有小、中,、大功率管,,按照半導體材料分,有硅管和鍺管等,;其構(gòu)成的放大電路形式有:共發(fā)射極,、共基極和共集電極放大電路。
場效應晶體管(field effect transistor)利用場效應原理工作的晶體管,。英文簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小,,以控制半導體導電層(溝道)中多數(shù)載流子的密度或類型,。它是由電壓調(diào)制溝道中的電流,其工作電流是由半導體中的多數(shù)載流子輸運,。這類只有一種極性載流子參加導電的晶體管又稱單極型晶體管,。與雙極型晶體管相比,場效應晶體管具有輸入阻抗高,、噪聲小,、極限頻率高、功耗小,,制造工藝簡單,、溫度特性好等特點,廣泛應用于各種放大電路,、數(shù)字電路和微波電路等,。以硅材料為基礎的金屬?氧化物?半導體場效應管(MOSFET)和以砷化鎵材料為基礎的肖特基勢壘柵場效應管(MESFET )是兩種重要的場效應晶體管,分別為MOS大規(guī)模集成電路和MES超高速集成電路的基礎器件,。
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