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施耐德交流接觸器4極型號常采用雙斷口電動滅弧,、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法,。用以消除動,、靜觸頭在分,、合過程中產生的電弧,。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧,、緩沖彈簧,、觸頭壓力彈簧、傳動機構,、底座及接線柱等輔助部件,。
交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,實現(xiàn)觸頭的接通和分斷的,。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài)),。當吸引線圈通電后,使靜鐵芯產生電磁吸力,,銜鐵被吸合,,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當吸引線圈斷電時,,電磁吸力消失,,銜鐵在復開,使常開觸頭閉合,,位彈簧作用下釋放,,所有觸頭隨之復位,接觸器處于失電狀態(tài),。
施耐德接觸器如下:
LC1-D09M5C
LC1-D12M5C
LC1-D18M5C
LC1-D25M5C
LC1-D32M5C
LC1-D40M5C
LC1-D50M5C
LC1-D80M5C
LC1-D95M5C
LC1-D115M5C
LC1-D150M5C
LC1-D170M5C
LC1-D205M5C
LC1-D245M5C
PN結的單向導電性
P端接電源的正極,,N端接電源的負極稱之為PN結正偏。此時PN結如同一個開關合上,,呈現(xiàn)很小的電阻,,稱之為導通狀態(tài)。
和施主相對的,,受主原子進入半導體晶格后,,因為其價電子數(shù)目比半導體原子的價電子數(shù)量少,等效上會帶來一個的空位,,這個多出的空位即可視為電洞,。受主摻雜后的半導體稱為p型半導體(p-type semiconductor),p代表帶正電荷的電洞,。
以一個硅的本質半導體來說明摻雜的影響,。硅有四個價電子,常用于硅的摻雜物有三價與五價的元素,。當只有三個價電子的三價元素如硼(boron)摻雜至硅半導體中時,,硼扮演的即是受主的角色,,摻雜了硼的硅半導體就是p型半導體。反過來說,,如果五價元素如磷(phosphorus)摻雜至硅半導體時,,磷扮演施主的角色,摻雜磷的硅半導體成為n型半導體,。
一個半導體材料有可能先后摻雜施主與受主,,而如何決定此外質半導體為n型或p型必須視摻雜后的半導體中,受主帶來的電洞濃度較高或是施主帶來的電子濃度較高,,亦即何者為此外質半導體的“多數(shù)載子”(majority carrier),。和多數(shù)載子相對的是少數(shù)載子(minority carrier)。對于半導體元件的操作原理分析而言,,少數(shù)載子在半導體中的行為有著非常重要的地位,。
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