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施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法,。用以消除動,、靜觸頭在分、合過程中產生的電弧,。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置,。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧,、觸頭壓力彈簧,、傳動機構,、底座及接線柱等輔助部件。
交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,,實現(xiàn)觸頭的接通和分斷的,。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài))。當吸引線圈通電后,,使靜鐵芯產生電磁吸力,,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當吸引線圈斷電時,,電磁吸力消失,銜鐵在復開,,使常開觸頭閉合,,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復位,,接觸器處于失電狀態(tài),。
施耐德接觸器如下:
LC1-D09M5C
LC1-D12M5C
LC1-D18M5C
LC1-D25M5C
LC1-D32M5C
LC1-D40M5C
LC1-D50M5C
LC1-D80M5C
LC1-D95M5C
LC1-D115M5C
LC1-D150M5C
LC1-D170M5C
LC1-D205M5C
LC1-D245M5C
PN結的特點:具有單向導電性。
半導體中的雜質對電阻率的影響非常大,。半導體中摻入微量雜質時,,雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài),在禁帶中產加的雜質能級,。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷,、砷、銻等雜質原子時,,雜質原子作為晶格的一分子,,其五個價電子中有四個與周圍的鍺(或硅)原子形成共價結合,多余的一個電子被束縛于雜質原子附近,,產生類氫能級。雜質能級位于禁帶上方靠近導帶底附近,。雜質能級上的電子很易激發(fā)到導帶成為電子載流子,。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主,相應能級稱為施主能級,。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發(fā)到導帶所需能量小得多(圖2),。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁,、鎵等雜質原子時,,雜質原子與周圍四個鍺(或硅)原子形成共價結合時尚缺少一個電子,因而存在一個空位,,與此空位相應的能量狀態(tài)就是雜質能級,,通常位于禁帶下方靠近價帶處,。價帶中的電子很易激發(fā)到雜質能級上填補這個空位,使雜質原子成為負離子,。價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子,。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時,,在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導體情形要小得多,。半導體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數(shù)增加而導致電阻率減小,,半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的,。對摻入施主雜質的半導體,導電載流子主要是導帶中的電子,,屬電子型導電,,稱N型半導體(圖3)。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電,,稱P型半導體,。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對,故N型半導體中可存在少量導電空穴,,P型半導體中可存在少量導電電子,,它們均稱為少數(shù)載流子。在半導體器件的各種效應中,,少數(shù)載流子常扮演重要角色,。
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