掃描電鏡中的二次電子分析
如果在樣品的上方安裝一個(gè)環(huán)形電子檢測器,，用于搜集從樣品出射的能量在0~E。范圍內(nèi)的電子,，可以獲得一條類似圖的曲線,，橫坐標(biāo)為出射電子能量E，縱坐標(biāo)為電子數(shù)量N,。曲線最右端E,。處是彈性背散射電子峰，僅占一小部分,，大部分背散射電子在E,。左邊I區(qū)域，其能量損失小于40%,，對于多數(shù)中等和高原子序數(shù)的樣品出射的背散射電子落在這個(gè)隆起部位,，而小部分能量損失大于40%的背散射電子處于區(qū)域Ⅱ，形成了曲線的尾部,，如果把曲線向左外推到0能量處,，其檢測到的電子數(shù)目應(yīng)為零，但實(shí)際不然,，在能量小于50eV區(qū)域,，即在區(qū)域Ⅲ范圍，樣品發(fā)射的電子數(shù)目顯著增加,，形成一個(gè)高峰,，這就是二次電子峰。二次電子是指從樣品中出射的能量小于50eV的電子,。某些能量損失大的背散射電子也可能處于這個(gè)范圍內(nèi),，但所占的比例不大。
二次電子的成因是由于高能入射電子與樣品原子核外電子相互作用,，使核外電子電離所造成,。尤其是外層電子與原子核結(jié)合力較弱,，被大量電離形成自由電子，如果這種過程發(fā)生在樣品表層,，自由電子只要克服材料的逸出功,，就能離開樣品，成為二次電子,。對于金屬,，價(jià)電子結(jié)合能很小，約為10eV,，其電離的幾率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于內(nèi)殼層電子,，樣品吸收一個(gè)高能電子，就能產(chǎn)生多個(gè)二次電子,。二次電子絕大部分為價(jià)電子,。人射電子在樣品深處同樣產(chǎn)生二次電子，但由于二次電子能量小,，不能出射,。出射的二次電子只限于樣品的表層，其范圍與入射電子束直徑相當(dāng),，取樣深度根據(jù)計(jì)算得到小于10nm的范圍,。因此用二次電子成像分勢率高，能夠*反映樣品的表面形貌特征,。
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