在實際工作中,，正確使用電容進(jìn)行電源退耦,，必須了解電容的頻率特性。實際上并沒有理想的電容,，這就是為什么人們常常聽到“電容不僅僅是電容”,。實用型電容器總有一些寄生參數(shù)，它們在低頻時表現(xiàn)得不明顯,，但在高頻時,，它們的重要性可能超過了容值本身。由磁場能量變化的視點可以很容易理解,，當(dāng)電流發(fā)生變化時,，磁場能量也會發(fā)生變化，但能量躍升是不可能的,，體現(xiàn)了電感的特性,。寄生電感可延遲電容電流的改變,，增加電感可增加電容充放電阻抗，延長了電源完整性反應(yīng)時間,。當(dāng)頻率高于諧振頻率時,，自共振頻率點是區(qū)分電容與諧振的兼容性還是感性分界點，“電容不再是電容”因此退耦效果會降低,。與等效串聯(lián)電感相關(guān)的電容與生產(chǎn)工藝流程,、封裝規(guī)模有關(guān)，通常小封裝的等效串聯(lián)電感較低,，寬體封裝的等效串聯(lián)電感較窄體封裝的高,。將一些大的電容放在電路板上，一般是坦電容或電解電容,。這種電容具有很低的ESL,，但ESR很高，因此Q值很低,，實用頻率范圍很寬,，非常適用于板級電源濾波。質(zhì)量因數(shù)越高,，電路在電感或電容上的電壓就越高,，附加電壓就越多。在一定頻偏下,，Q值越高,，電流衰減越快，諧振曲線越尖銳,。換句話說,，電路的挑選性是由電路的Q元素決定的，電源完整性Q值越高,，挑選性越好,。
等離子體處理儀電源完整性部分的解耦規(guī)劃方法為了保證邏輯電路正常工作，有必要表示電路邏輯狀態(tài)的電平值以一定的比例下降,。例如,，對于3.3V邏輯，高電壓大于2V是邏輯1,，低電壓小于0.8V是邏輯0,。將電容置于鄰近器件上，并跨接于電源插頭與地插頭之間,。一般情況下,，電容充電，儲存部分電量。等離子體處理儀電源功率整流器不需要VCC來供給電路轉(zhuǎn)換所需的瞬態(tài)電流,，電容相當(dāng)于一小塊電源,。因此，等離子體處理儀電源和地端的寄生電感都被繞道掉了,，在這一段時間內(nèi),，寄生電感沒有電流流過，因此也不存在感應(yīng)電壓,。通常將兩個或多個電容平行放置，以減小電容本身的串聯(lián)電感,，從而降低電容充放電回路的阻抗,。注意：電容的放置，設(shè)備間隔,，設(shè)備方式,，電容選擇。
