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RTS-8四探針測(cè)試儀測(cè)量原理單電測(cè)

閱讀:3535          發(fā)布時(shí)間:2020-2-10

RTS-8四探針測(cè)試儀

將四根排成一條直線的探針以一定的壓力垂直地壓在被測(cè)樣品表面上,在 1,、4 探針間通以電流 I(mA),,2、3 探針間就產(chǎn)生一定的電壓 V(mV)(如圖1),。測(cè)量此電壓并根據(jù)測(cè)量方式和樣品的尺寸不同,可分別按以下公式計(jì)算樣品的電阻率,、方塊電阻,、電阻:

. 薄圓片(厚度≤4mm)電阻率:

F(D/S) F(W/S) W  Fsp        Ω·cm   …(1)

其中:D樣品直徑,單位:cmmm,,注意與探針間距S單位一致,;

S平均探針間距,單位:cmmm,,注意與樣品直徑D單位一致(四探針頭合格證上的S值),;

W樣品厚度,單位:cm,,在F(W/S)中注意與S單位一致,;

Fsp探針間距修正系數(shù)(四探針頭合格證上的F值);

F(D/S)樣品直徑修正因子,。當(dāng)D→時(shí),,F(xiàn)(D/S)=4.532,有限直徑下的F(D/S)由附表B查出:

F(W/S)樣品厚度修正因子,。W/S<0.4時(shí),,F(xiàn)(W/S)=1;W/S>0.4時(shí),,F(xiàn)(W/S)值由附表C查出,;

I1,、4探針流過(guò)的電流值,選值可參考表5.2(第6頁(yè)表5.2),;

V2,、3探針間取出的電壓值,單位mV,;

. 薄層方塊電阻R

F(D/S)F(W/S) Fsp          Ω/□   …(2)

其中:D樣品直徑,,單位:cmmm,注意與探針間距S單位一致,;

S平均探針間距,,單位:cmmm,注意與樣品直徑D單位一致(四探針頭合格證上的S值),;

W樣品厚度,,單位:cm,在F(W/S)中注意與S單位一致,;

Fsp探針間距修正系數(shù)(四探針頭合格證上的F值),;

F(D/S)樣品直徑修正因子。當(dāng)D→時(shí),,F(xiàn)(D/S)=4.532,,有限直徑下的F(D/S)由附表B查出:

F(W/S)樣品厚度修正因子。W/S<0.4時(shí),,F(xiàn)(W/S)=1,;W/S>0.4時(shí),F(xiàn)(W/S)值由附表C查出,;

I1,、4探針流過(guò)的電流值,選值可參考表5.1(第6頁(yè)表5.1),;

V2,、3探針間取出的電壓值,單位mV,;

①雙面擴(kuò)散層方塊電阻R□

可按無(wú)窮大直徑處理,,此時(shí)F(D/S)=4.532,由于擴(kuò)散層厚度W遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于探針間距,,故F(W/S)=1,,此時(shí)

=4.532Fsp

②單面擴(kuò)散層、離子注入層,、反型外延層方塊電阻

此時(shí)F(D/S)值應(yīng)根據(jù)D/S值從附表C中查出,。另外由于擴(kuò)散層、注入層厚度W遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于探針間距,,故F(W/S)=1,,此時(shí)有

F(D/S)Fsp

. 棒材或厚度大于 4mm 的厚片電阻率ρ:

當(dāng)探頭的任一探針到樣品邊緣的近距離不小于 4S 時(shí),,測(cè)量區(qū)的電阻率為:

                     Ω·cm   …(3)

其中:C=2πS為探針系數(shù),單位:cm (四探針頭合格證上的C值),;

S 的取值來(lái)源于:1/S=(1/S1 +1/S3 –1/(S1+S3) –1/(S2+S3)),,S1為(1-2)針、S2為(2-3)針,、

S3 為(3-4)針的間距,,單位:cm

I1,、4探針流過(guò)的電流值,,單位mA,選值可參考表5.2(第6頁(yè)表5.2)

V2,、3探針間取出的電壓值,,單位mV

. 電阻的測(cè)量:

應(yīng)用恒流測(cè)試法,,電流由樣品兩端流入同時(shí)測(cè)量樣品兩端壓降,。樣品的電阻為:

       Ω   …(3)

其中:I樣品兩端流過(guò)的電流值,單位mA,選值可參考表5.2(第6頁(yè)表5.2),;

V樣品兩端取出的電壓值,,單位mV

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