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產品簡介
詳細介紹
大功率IGBT靜態(tài)參數測試儀認準武漢生產廠家普賽斯儀表,，普賽斯以自主研發(fā)為導向,，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗,，先后推出了直流源表,，脈沖源表、高電流脈沖源表,、高電壓源測單元等測試設備,，廣泛應用于高校研究所、實驗室,，新能源,，光伏，風電,，軌交,，變頻器等場景,。
IGBT簡介：
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經常使用在強電流高電壓的場景中,，如電動汽車,、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成,，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點,，IGBT是電力電子設備的“cpu"，被國家列為重點研究對象,。
IGBT測試難點：
1,、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試,。
2,、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試,。
3,、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣,，且量程可以自動切換的模塊進行測試,。
4、由于IGBT工作在強電流下,，自加熱效應明顯,，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試,，用于評估期間的自加熱特性,。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容,，且與其在高頻應用有密切關系,。所以IGBT的電容測試非常重要。
6,、IGBT開關特性非常重要,，需要進行雙脈沖動態(tài)參數的測試。
那么IGBT器件靜態(tài)參數測試需要哪些儀器呢,？
E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）,、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在第一象限,，輸出及測量電壓0~3000V,，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式,。
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源,、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義,。
E300高電壓源測單元
HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）,、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）,、支持輸出極性切換等特點。
設備可應用于肖特基二極管,、整流橋堆,、IGBT器件、IGBT半橋模塊,、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓"掃描測試,。
HCPL100型高電流脈沖電源
P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度,、大動態(tài)、數字觸摸源表,，匯集電壓,、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A,，Z大輸出電壓達300V,，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中,。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,，特別適合現代半導體、納米器件和材料,、有機半導體,、印刷電子技術以及其他小尺寸、低功率器件特性分析,。
P系列脈沖源表
大功率IGBT靜態(tài)參數測試儀簡介
功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT,、IGBT等）的靜態(tài)參數,，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數,，具有高電壓和大電流特性,，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,，如輸入電容,，輸出電容、反向傳輸電容等,。
產品特點
高電壓：支持高達3KV高電壓測試,；
大電流：支持高達4KA大電流測試；
高精度：支持uΩ級電阻,、pA級電流,、uV級精準測量；
豐富模板：內置豐富的測試模板,，方便用戶快速配置測試參數,；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果,，亦可一鍵導出,；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置,，方便維護,；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度,；
可定制開發(fā)：可根據用戶測試場景定制化開發(fā),；
技術指標
大功率IGBT靜態(tài)參數測試儀應用
功率器件如二極管、三極管,、MOS管,、IGBT、SIC,、GaN,；