產(chǎn)品簡介
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搭建BJT/MOS直流特性測試實驗需要哪些儀器,?認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,, 半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,,如二極管,,晶體管,場效應(yīng)管等,。直流I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ),,通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。
BJT/MOS直流特性測試的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù),,并在整個工藝流程結(jié)束后評估器件的優(yōu)劣,。在半導(dǎo)體制程的多個階段都有應(yīng)用,如金屬互連,,鍍層階段,,芯片封裝后的測試等。
普賽斯儀表開發(fā)的BJT/MOS直流特性測試方案,,由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU),、夾具或探針臺、上位機軟件構(gòu)成,。以三端口 MOSFET 器件為例,,配套以下設(shè)備:
兩臺 S 型數(shù)字源表
四根三同軸電纜
夾具或帶有三同軸接口的探針臺
三同軸T 型頭
需要測試的參數(shù):
輸出特性曲線
轉(zhuǎn)移特性曲線
跨導(dǎo) gm
擊穿電壓 BVDS
需要儀器列表:
SMU 源表
探針臺或夾具
普賽斯上位機軟件
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