產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
三極管IV掃描測(cè)試儀器認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),,性價(jià)比高,,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,,支持USB存儲(chǔ),,一鍵導(dǎo)出報(bào)告,符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求,,可及時(shí)與客戶溝通,,為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案,及時(shí)指導(dǎo)客戶編程,,加速測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)
一,、 三極管IV掃描測(cè)試儀器需要幾臺(tái)數(shù)字源表?搭建方案示意圖,?
①,、如果客戶二極管最高測(cè)試電壓低于300V,使用一臺(tái)源表即可,;
②,、如果客戶二極管最高測(cè)試電壓高于300V,則需要使用高壓程控電源(需向第三方購(gòu)買),、過(guò)壓保護(hù)模塊(我司已研發(fā)),、直流源表進(jìn)行該測(cè)試;
二,、 三極管IV掃描測(cè)試儀器需要幾臺(tái)源表,?搭建方案示意圖?
①,、三極管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間,,一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間;MOS管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間,,一臺(tái)加在漏極與源極之間,;需要使用兩臺(tái)直流源表同步觸發(fā)使用,,或使用插卡式直流源表;
②,、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V,,基于最高性價(jià)比考慮,其中一臺(tái)使用S100即可,,另一臺(tái)根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定,;
三極管IV掃描測(cè)試儀器特點(diǎn)
5寸800*480觸摸顯示屏,全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,,加速用戶完成測(cè)試,,如LIV、PIV
源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%,,分辨率5位半
四象限工作(源和肼),,源及測(cè)量范圍:高至300V,低至10pA
豐富的掃描模式,,支持線性掃描,、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
支持多種通訊方式,,RS-232,、GPIB及以太網(wǎng)
技術(shù)參數(shù)
最大輸出功率:30W,4象限源或肼模式,;
源限度:電壓源:±30V(≤1A量程),,±300V(≤100mA量程);
電流源:±1.05A(≤30V量程),,±105mA(≤300V量程),;
過(guò)量程: 105%量程,源和測(cè)量,;
穩(wěn)定負(fù)載電容:<22nF,;
寬帶噪聲(20MHz):2mV RMS(典型值),<20mV Vp-p(典型值),;
線纜保護(hù)電壓:輸出阻抗1KΩ,,輸出電壓偏移<80uV,;
最大采樣速率:1000 S/s,;
觸發(fā):支持IO觸發(fā)輸入及輸出,觸發(fā)極性可配置,;
輸出接口:前后面板香蕉頭插座輸出,,同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口;
通信口:RS-232,、GPIB,、以太網(wǎng),;
電源:AC 100~240V 50/60Hz;
工作環(huán)境:25±10℃,;
尺寸:106mm高 × 255mm寬 × 425mm長(zhǎng),;
三極管IV掃描測(cè)試儀器應(yīng)用
•分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試,電阻,、二極管,、發(fā)光二極管、齊納二極管,、PIN二極管,、BJT三極管、MOSFET,、SIC,、GaN等器件;
•能量與效率特性測(cè)試,,LED/AMOLED,、太陽(yáng)能電池、電池,、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
•傳感器特性測(cè)試,,電阻率、霍爾效應(yīng)等
•有機(jī)材料特性測(cè)試,,電子墨水,、印刷電子技術(shù)等
•納米材料特性測(cè)試,石墨烯,、納米線等
更多有關(guān)三極管IV掃描測(cè)試儀器的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表