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行業(yè)產(chǎn)品

當前位置:
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[供應]HCPL100-IGBT器件高電流測試脈沖電源
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  • HCPL100-IGBT器件高電流測試脈沖電源
貨物所在地:
湖北武漢市
產(chǎn)地:
東湖開發(fā)區(qū)光谷大道308號光谷
更新時間:
2024-11-01 13:11:40
有效期:
2024年11月1日 -- 2025年1月31日
已獲點擊:
64
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(聯(lián)系我們,請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,,謝謝?。?/p>

產(chǎn)品簡介

IGBT器件高電流測試脈沖電源找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,,高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A),、脈沖邊沿陡(10uS),、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點,。

詳細介紹

IGBT簡介:

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率,,期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中,如電動汽車,、變電站等,。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點,,IGBT是電力電子設備的“cpu",,被國家列為重點研究對象。


IGBT測試難點:

1,、由于IGBT是多端口器件,,所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2,、IGBT的漏電流越小越好,,所以需要高精度的設備進行測試。

3,、IGBT動態(tài)電流范圍大,,測試時需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進行測試,。

4,、由于IGBT工作在強電流下,,自加熱效應明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應,,所以MOSFET需要進行脈沖IV測試,,用于評估期間的自加熱特性。

5,、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,,且與其在高頻應用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要,。

6,、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試,。


IGBT器件高電流測試脈沖電源找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,,高電流脈沖電源為脈沖恒流源具有輸出電流大(1000A),、脈沖邊沿陡(10uS),、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點,。

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設備可應用于肖特基二極管,、整流橋堆IGBT器件,、IGBT半橋模塊,、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設備可以獨立完成電流-導通電壓"掃描測試,。

器件

測試項

肖特基二極管,,整流橋堆

瞬時前向電壓

IGBT器件

IGBT導通壓降、鍵合線阻抗

IGBT模塊,,IPM模塊

IGBT導通壓降,、二極管瞬時前向電壓、鍵合線阻抗

IGBT器件高電流測試脈沖電源技術(shù)指標

    參數(shù)

指標

電流脈寬

20μs~500μs

脈沖電流上升沿時間

<10μs

輸出脈沖電流

3~1000A量程,,精度0.1%FS±1A

輸出負載電壓要求

<12V@1000A

DUT電壓測量

2獨立通道

遠端測量,,峰值電壓測量(取樣點可配置)

0~12V量程,精度0.1%FS±3mV

電流脈沖輸出間隔時間

1

電流脈沖峰值功率

<12kW

多設備并聯(lián)

支持多設備并聯(lián)輸出超大電流,如3000A

輸出極性反轉(zhuǎn)

支持

觸發(fā)信號

支持trig                         in及trig out

通訊接口

RS232

輸入電壓

90~264VAC,、50/60Hz

輸入功率

<500W

尺寸

516                         x250                         x160mm

應用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊



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