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[供應(yīng)]S型-源表iv掃描led電性能
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  • S型-源表iv掃描led電性能
貨物所在地:
湖北武漢市
產(chǎn)地:
湖北武漢
更新時(shí)間:
2024-11-01 13:11:27
有效期:
2024年11月1日 -- 2025年2月1日
已獲點(diǎn)擊:
79
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

源表iv掃描led電性能認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),,性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),,一鍵導(dǎo)出報(bào)告,符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求,,可及時(shí)與客戶溝通,為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案,,及時(shí)指導(dǎo)客戶編程,加速測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

詳細(xì)介紹

源表iv掃描led電性能認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,,輸出電壓高達(dá)300V,,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告,,符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求,,可及時(shí)與客戶溝通,,為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案,,及時(shí)指導(dǎo)客戶編程,,加速測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

  1. 源表iv掃描led電性能概述

    LED(全稱為L(zhǎng)ight-emitting diode)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。和普通的二極管一樣,,這些半導(dǎo)體材料會(huì)預(yù)先透過(guò)注入或攙雜等工藝以產(chǎn)生p、n架構(gòu),。LED只能夠往一個(gè)方向?qū)ǎㄍ姡?當(dāng)在兩端加載合適的電壓后,電流可以從p極(陽(yáng)極)流向n極(陰極),,而相反方向則不能,。兩種不同的載流子:空穴和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向p、n架構(gòu),。當(dāng)空穴和電子相遇而產(chǎn)生復(fù)合,,電子會(huì)跌落到較低的能階,,同時(shí)以光子的模式釋放出能量,即發(fā)光,。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,,目前LED能夠發(fā)出的光已經(jīng)遍及可見(jiàn)光,、紅外線及紫外線,,光度亦提高到相當(dāng)高的程度,,用途覆蓋指示燈,顯示板,,照明等,。

    源表,,SMU(Source Measure Unit)電源/測(cè)量單元,,“源"為電壓源和電流源,“表"為測(cè)量表,,“源表"即指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流,,同時(shí)可同步測(cè)量電流值或電壓值的測(cè)量?jī)x表,。源表集合電壓源、電流源,、電壓表,、電流表的功能于一身,,廣泛用于各類(lèi)精密器件的測(cè)量。

  2. 常用測(cè)試參數(shù)

    LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作,。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電性的測(cè)試可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓(Vf),、反向電壓(Vr)及漏電流Ir)等參數(shù),,以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端,,加電壓測(cè)試電流,,或者加電流測(cè)試電壓。此外,,還可以根據(jù)客戶要求,,搭配相應(yīng)的光學(xué)測(cè)試系統(tǒng),測(cè)試相應(yīng)的光學(xué)性能,。

    典型二極管I-V特性曲線                                  

  3. LED光電測(cè)試系統(tǒng)示意圖

  4. Vf正向?qū)妷簻y(cè)試

    正向?qū)妷?,?/span>LED在正常工作電流下測(cè)量的電壓值,。當(dāng)加載在LED兩端的工作電壓,,低于導(dǎo)通電壓時(shí),通過(guò)LED的電流極小,,不發(fā)光,。當(dāng)電壓超過(guò)該值后,通過(guò)LED的電流隨電壓迅速增加,,而后LED發(fā)光,。常用測(cè)試方法為,,將LED的正極接在高電位端,負(fù)極接在低電位端,,逐漸增加LED的電流(電流值一般為幾mA),并同時(shí)測(cè)量LED兩端的電壓(電壓值范圍在幾V以內(nèi)),。而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,,得到相應(yīng)的Vf值。


    Vr 反向擊穿電壓測(cè)試

    反向擊穿電壓,,是所允許加載在LED兩端的最大反向電壓,。當(dāng)二極管兩端的反向電壓超過(guò)Vr后,,反向電流會(huì)急劇增大,,二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?,這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿,。若長(zhǎng)時(shí)間工作電壓超過(guò)Vr,,發(fā)光二極管可能被擊穿損壞,。常用測(cè)試方法為,將LED的正極接在低電位端,,負(fù)極接在高電位端,,逐漸增加LED的電流(電流值一般為幾mA),,并同時(shí)測(cè)量LED兩端的電壓(電壓值范圍在幾V以內(nèi))。而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,,得到相應(yīng)的Vr值。由于源表可作為四象限工作的電壓源,,因此,,在測(cè)試時(shí),無(wú)需將接線端反接,。源表內(nèi)部會(huì)自動(dòng)根據(jù)設(shè)定值,,切換輸出端的極性。


    Ir漏電流測(cè)試

    漏電流,,指LED處于反向偏置狀態(tài)時(shí),,流過(guò)二極管的微弱反向電流。此時(shí),,LED兩端的電壓低于Vr,。常用的測(cè)試方法為,LED的正極接在低電位端,,負(fù)極接在高電位端,,而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,設(shè)定加載在LED兩端電壓,,測(cè)量電流Ir


  5. 繪制LED I-V特性曲線測(cè)試

  6. 連接

    如下圖所示,,選擇合適的夾具,,將LED與S型源表進(jìn)行連接

    源表測(cè)試連接示意圖

  7. 測(cè)試步驟

步驟

操作方法

操作界面

選擇掃描模式

【主界面】—>【掃描模式】

設(shè)置掃描參數(shù)

根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要,選擇并設(shè)置相應(yīng)的參數(shù),。比如:【掃描類(lèi)型】,,【限值】,【掃描模式】,,【掃描點(diǎn)】等

啟動(dòng)測(cè)試

點(diǎn)擊【開(kāi)始掃描】,,即可啟動(dòng)測(cè)試

/

測(cè)試數(shù)據(jù)

待測(cè)試完畢后,會(huì)自動(dòng)根據(jù)測(cè)試結(jié)果繪制I-V曲線,,并顯示在屏幕上,。此外,如果選擇保存【開(kāi)始掃描】,,也可在插入U(xiǎn)盤(pán)后,,導(dǎo)出測(cè)試數(shù)據(jù)


S型源表簡(jiǎn)介

普賽斯S系列高精度源表,,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體,。產(chǎn)品最大輸出電壓達(dá)300V,,最小測(cè)試電流達(dá)100pA,分辨率低至10pA,,支持四象限工作,,因此,可廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體器件I-V電特性測(cè)試,如半導(dǎo)體IC,,功率半導(dǎo)體器件,,傳感器,LED等,。產(chǎn)品具有如下特點(diǎn):

  • 采用5寸800*480觸摸顯示屏,,全圖形化操作,操作簡(jiǎn)單方便

  • 內(nèi)置豐富的掃描模式,,支持線性掃描,、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

  • 四象限工作模式,可在源模式或肼模式下工作

  • 支持USB存儲(chǔ),,一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

  • 兼容多種上位機(jī)通訊方式,,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

  • 可搭配普賽斯自主開(kāi)發(fā)的上位機(jī)軟件使用,,快速實(shí)現(xiàn)不同器件的測(cè)試

以上是關(guān)于源表iv掃描led電性能的方案介紹,,更多有關(guān)源表用于LED電性能測(cè)試信息找普賽斯儀表專(zhuān)員為您介紹



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