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產(chǎn)品簡介
微電子器件與材料實驗用數(shù)字源表認準生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,，普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),，性價比高,，測試范圍更廣,，輸出電壓高達300V，支持USB存儲,，一鍵導出報告,，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時與客戶溝通,，為客戶提供高性價比系統(tǒng)解決方案,，及時指導客戶編程,，加速測試系統(tǒng)開發(fā)
詳細介紹
本科生微電子器件及材料實驗目的
通過實驗動手操作，加深對半導體物理理論知識的理解,，掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
本科生微電子器件及材料實驗目錄
實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導體霍爾效應測試實驗實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設備簡單易用,，專業(yè)權(quán)W方便學生動手操作
核心設備測試精度高,，滿足新材料和新器件的指標要求
測試軟件功能齊全，平臺化設計,，有專人維護支持,，與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎平臺為起點，可逐步升級,，滿足日益增加的實驗室測試需求
本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能
實驗名稱 | 測試參數(shù) |
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗 |
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四探針法測量半導體電阻率測試實驗
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MOS電容的CV特性測試實驗（低頻 + 高頻） |
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半導體霍爾效應測試實驗 |
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激光二極管LD的LIV特性測試
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太陽能電池的特性表征
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本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表,， SMU）
微電子器件與材料實驗用數(shù)字源表認準生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足*器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
